| 发明名称 | 改进微电子电路的性能的方法 | ||
| 摘要 | 适合于一种集成电路晶体管结构的方法和结构，其包括具有第一导电材料和第二材料的栅极导体。本发明有一个邻近所述栅极导体的不可变形的衬垫，并且在所述栅极导体和所述衬垫之间有一个间隙。所述第一导电材料可以是多晶硅，且所述第二材料可以是一种金属或者一种聚合物。所述第二材料作为所述间隙的填充物。在本发明中，所述间隙保存环境气体并且降低了所述栅极导体的电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN1302546C | 申请公布日期 | 2007.02.28 |
| 申请号 | CN03127771.3 | 申请日期 | 2003.08.12 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 劳伦斯·A·克莱温格尔;乔治·C.·冯;杰姆斯·M·E·哈普尔;路易斯·L·苏 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L23/52(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 吴丽丽 |
| 主权项 | 1.一种集成电路布线结构，包括：在整个侧壁长度上具有硅化的侧壁的导体，所述导体包含多晶硅和第二材料，所述第二材料包括一种金属；与所述导体相邻的一个不可变形的衬垫；以及在所述在整个侧壁长度上具有硅化的侧壁的导体和所述衬垫之间的间隙。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||