发明名称 |
提供光学质量硅表面的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种在光学系统,包括集成的光学波导器件结构上制备光学质量硅表面的系统和方法。粗糙表面通过干刻蚀过程形成。热氧化物在表面上通过湿或干的氧化过程生长。使用基于HF的溶液来刻蚀生长的氧化物,降低表面的粗糙度。为了获得所需程度的平滑度,可以重复进行本发明的过程。 |
申请公布号 |
CN1302302C |
申请公布日期 |
2007.02.28 |
申请号 |
CN02807888.8 |
申请日期 |
2002.02.01 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
米哈伊尔·N·内登科夫;黄权;西瓦苏布拉马尼亚姆·叶格纳纳拉雅纳 |
分类号 |
G02B6/13(2006.01) |
主分类号 |
G02B6/13(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
过晓东 |
主权项 |
1、一种形成硅光学表面的方法,该方法包括:刻蚀绝缘体硅基片形成具有光学表面的光学表面波导,其中所述光学表面至少包括粗糙刻蚀边缘和粗糙刻蚀平面之一;氧化光学表面的一部分,形成氧化区,其中使用扩散模具来选择性地改变氧的扩散速率,从而选择性改变氧化区的氧化速率,在所述部分内的表面粗糙度根据氧的扩散速率的选择性改变而改变;除去氧化区,其中光学表面的表面粗糙度降低了。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |