发明名称 提供光学质量硅表面的方法
摘要 本发明提供了一种在光学系统,包括集成的光学波导器件结构上制备光学质量硅表面的系统和方法。粗糙表面通过干刻蚀过程形成。热氧化物在表面上通过湿或干的氧化过程生长。使用基于HF的溶液来刻蚀生长的氧化物,降低表面的粗糙度。为了获得所需程度的平滑度,可以重复进行本发明的过程。
申请公布号 CN1302302C 申请公布日期 2007.02.28
申请号 CN02807888.8 申请日期 2002.02.01
申请人 英特尔公司 发明人 米哈伊尔·N·内登科夫;黄权;西瓦苏布拉马尼亚姆·叶格纳纳拉雅纳
分类号 G02B6/13(2006.01) 主分类号 G02B6/13(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 过晓东
主权项 1、一种形成硅光学表面的方法,该方法包括:刻蚀绝缘体硅基片形成具有光学表面的光学表面波导,其中所述光学表面至少包括粗糙刻蚀边缘和粗糙刻蚀平面之一;氧化光学表面的一部分,形成氧化区,其中使用扩散模具来选择性地改变氧的扩散速率,从而选择性改变氧化区的氧化速率,在所述部分内的表面粗糙度根据氧的扩散速率的选择性改变而改变;除去氧化区,其中光学表面的表面粗糙度降低了。
地址 美国加利福尼亚