多层膜作为硬掩模和抗反射层的应变源漏CMOS的制作方法

摘要

本发明的多层膜作为硬掩模和抗反射层的应变源漏CMOS的制作方法，包括多晶硅栅极形成过程中淀积多层膜在多晶硅淀积层上，使光刻用光在衬底的反射率足够低可以满足光刻的要求，同时作为多晶硅栅极形成时的硬掩模，以及源漏硅凹陷刻蚀和外延生长硅锗或/和硅碳时的掩模，保护多晶硅栅极免受硅锗或硅碳的影响，而该多层膜在硅凹陷刻蚀和外延生长后，容易被去除，对间隔层没有明显侵蚀。

主权项

1.多层膜作为硬掩模和抗反射层的应变源漏CMOS的制作方法，包括如下步骤：a)在已经形成P、N井，浅沟隔离的硅衬底上依次形成栅极氧化物层、多晶硅层、多层膜、光刻胶层，该多层膜包括硅氧化物和硅氮氧化物，该多层膜作为光刻时的抗反射层和硅凹陷刻蚀时的硬掩模；b)光刻、刻蚀形成多晶硅栅极导电结构；c)形成多晶硅栅极间隔层；d)以多层膜和间隔层为掩模保护PMOS的多晶硅栅极，以光刻胶保护NMOS区域，对PMOS源漏进行凹陷刻蚀；e)去除光刻胶f)以多层膜和间隔层为掩模保护PMOS的多晶硅栅极，以多层膜和间隔层为掩模保护NMOS区域，对PMOS源漏凹陷刻蚀区域外延生长硅锗；g)去除作为硬掩模的多层膜；h)进行其他后续制程。