| 发明名称 | 用于形成生长的活性P型III－V族氮化物化合物的方法 | ||
| 摘要 | 在实施用于生长的活性P型III－V族氮化物层的方法时，将引入基板并设置于反应室中，并将其加热。接着，将氮气载气以及反应化合物送入反应室中，反应化合物包括源自第III族元素的化合物、源于氮的化合物、以及P型杂质。借此产生化学反应，以形成生长的活性P型III－V族氮化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN1921158A | 申请公布日期 | 2007.02.28 |
| 申请号 | CN200610108207.6 | 申请日期 | 2006.08.01 |
| 申请人 | 泰谷光电科技股份有限公司 | 发明人 | 李家铭;陈宗良 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);C30B29/40(2006.01);C30B29/38(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 程大军 |
| 主权项 | 1.一种用于形成活性p型III-V族氮化物层的方法，其包括：在反应室中引入氮气(N2)载气，该反应室中设置有处于反应温度下的基板；以及在反应室中引入至少一种源于第III族元素的化合物、一种源于氮的化合物以及一种P型杂质，进而引发化学反应，形成活性P型III-V族氮化物层。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||