发明名称 |
调制离子束电流 |
摘要 |
本发明的目的在于在离子注入系统中调制离子束电流,例如以减轻非均匀的离子注入。披露了用于调制离子束的强度的多种布置。例如,通过偏置离子源下游的一个或多个不同元件可以改变束内离子的体积或数量。类似地,通过控制与离子源更密切相关的元件还可以操纵离子束内离子的剂量。以这种方式可以调节注入过程,以使可以用更均匀的离子涂覆来注入晶片。 |
申请公布号 |
CN1922707A |
申请公布日期 |
2007.02.28 |
申请号 |
CN200580006020.9 |
申请日期 |
2005.02.23 |
申请人 |
艾克塞利斯技术公司 |
发明人 |
A·芮;M·葛瑞夫 |
分类号 |
H01J37/317(2006.01);H01J37/147(2006.01) |
主分类号 |
H01J37/317(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
李亚非;张志醒 |
主权项 |
1、一种适合用于将离子注入到一个或多个工件中的离子注入系统,包括:离子源,用于产生大量可以以离子束的形式提取的离子,该离子束具有束电流;在离子源下游的束线组件,用于接收和引导离子束;在束线组件下游的终端站,用于保持朝着其引导离子束的一个或多个工件;在离子源下游的部件,用于调制离子束电流;以及测量部件,用于取得束电流的读数,该调制部件响应于由测量部件取得的读数而调整束电流。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |