制造半导体器件的方法

摘要

提供一种制造半导体器件的方法，其通过防止在窗结构形成时产生热的负面影响，制造具有高输出功率和极好长期可靠性的半导体器件。该方法包括：第一步骤，在半导体衬底1上形成包含至少一层由量子势阱活性层组成的活性层4b的预定的半导体层2至9；第二步骤，在半导体层2至9表面上的第一部分上形成第一介电膜10；第三步骤，在半导体层2至9表面上的第二部分上形成第二介电膜12，第二介电膜12由与第一介电膜10相同的材料制成并具有低于第一介电膜10的密度；和第四步骤，对包含半导体层2至9、第一介电膜10和第二介电膜12的多层体进行热处理，以使第二介电膜12下面的量子势阱层无序化。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，其中包括步骤：在半导体衬底上形成预定的半导体多层体，其至少包括由量子势阱活性层组成的活性层；在所述半导体多层体表面的第一部分上形成第一介电膜；在所述半导体多层体表面的第二部分上形成第二介电膜，第二介电膜由与所述第一介电膜相同的材料制成，并具有比所述第一介电膜低的密度；对包含所述半导体多层体、所述第一介电膜和所述第二介电膜的多层体进行热处理，使所述第二介电膜下面的所述量子势阱层无序化；和在靠近所述第二部分的中心部位破开所述多层体。