| 发明名称 | 制备用于半导体元件的互连的方法 | ||
| 摘要 | 在一个方面中，本发明包括制备用于半导体元件互连的方法。提供了半导体衬底，并且开口(212)形成为完全地延伸穿过衬底。在小于或等于大约200℃的温度下，沿着开口侧壁(218)来沉积上第一材料(220)。这种沉积可包括原子层沉积和化学气相沉积中的一种或两种，并且第一材料可包括金属氮化物。焊料可润湿的材料(224)形成于第一材料的表面之上。例如，焊料可润湿的材料可包括镍。随后，将焊料(240)提供至该开口中和该焊料可润湿的材料之上。 | ||
| 申请公布号 | CN1922726A | 申请公布日期 | 2007.02.28 |
| 申请号 | CN200580005360.X | 申请日期 | 2005.02.18 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | K·K·柯比;孟双;G·J·德尔德里安 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 谭祐祥 |
| 主权项 | 1.一种制备用于半导体元件的互连的方法，包括：提供半导体元件；形成完全地延伸穿过所述元件的开口，所述开口具有侧壁；沿着所述开口的侧壁来沉积第一材料，所述沉积在小于或等于大约200℃的温度下进行；和将第二材料镀在所述开口中并镀在所述第一材料之上。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||