| 发明名称 | 降低晶体缺陷密度的方法 | ||
| 摘要 | 一种在高压高温(HP/HT)下消除非金刚石晶体中缺陷或应变的方法，从提供含缺陷晶体和压力介质开始，将晶体和压力介质放置在高压小容器中，再置于高压设备中，在足够高压高温的反应条件下处理到足以消除其单晶体中一种或多种缺陷或解除应变的时间。 | ||
| 申请公布号 | CN1920124A | 申请公布日期 | 2007.02.28 |
| 申请号 | CN200610108599.6 | 申请日期 | 2003.06.27 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | M·P·德埃维林;S·D·阿图尔;L·B·罗兰德;S·S·瓦加拉利;J·W·卢塞克;T·R·安托尼;L·M·莱文森 |
| 分类号 | C30B33/00(2006.01) | 主分类号 | C30B33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 赵苏林 |
| 主权项 | 1.一种消除非金刚石晶体中的一种或多种缺陷和/或解除其应变的方法，该方法包括：a)将至少一种含缺陷和或应变的晶体放在压力介质中，该压力介质包含所述反应条件下的超临界流体；b)将该晶体和压力介质放置在一高压小容器中；c)在高压设备中在足够高压高温的反应条件下处理该小容器，达到足以消除材料中一种或多种缺陷或解除材料应变的时间。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||