发明名称 |
具有保护电路的半导体装置 |
摘要 |
本发明的目的是提供让电源电压降低保护电路具有过热保护功能的半导体装置。本发明的半导体装置的保护电路,用电阻和具有正的齐纳电压温度依存性的齐纳二极管的串联体分割电源电压后,连接到比较器的一个输入端,在比较器的另一个输入端,施加用电阻分割的电源电压,比较齐纳电压和电阻分割电压来检测无过热时的电源电压有无变动,用齐纳电压的变动来检测无电源电压变动时的半导体装置有无过热。 |
申请公布号 |
CN1921311A |
申请公布日期 |
2007.02.28 |
申请号 |
CN200610007383.0 |
申请日期 |
2006.02.13 |
申请人 |
株式会社日立制作所 |
发明人 |
根本大;樱井健司;内海智之;长谷川裕之 |
分类号 |
H03K17/08(2006.01);H03K17/14(2006.01) |
主分类号 |
H03K17/08(2006.01) |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 |
代理人 |
郝庆芬 |
主权项 |
1.一种半导体装置,其特征在于:具有电源电压降低保护电路;所述电源电压降低保护电路,在电源电压降低保护动作的开始电压中具有正的温度依存性,电源电压降低保护电路也具有所述半导体装置的过热保护功能。 |
地址 |
日本东京都 |