发明名称 |
磁存储器装置和磁存储器装置的制造方法 |
摘要 |
提供一种磁存储器装置和磁存储器装置的制造方法。其中,在基板上形成绝缘层,在上述绝缘层上形成下部电极,在上述下部电极的上表面上形成磁阻效应膜,该磁阻效应膜包含绝缘阻挡层、和夹着该绝缘阻挡层而层叠的多个磁性体膜,在上述磁阻效应膜之上层叠掩模层,把上述掩模层用作掩模对上述磁阻效应膜进行离子蚀刻加工,形成磁阻效应元件,在上述掩模、上述磁阻效应元件、和上述下部电极的上表面上形成绝缘膜,利用离子束对上述绝缘膜进行蚀刻以使上述磁阻效应元件的侧面露出。 |
申请公布号 |
CN1302548C |
申请公布日期 |
2007.02.28 |
申请号 |
CN200410058626.4 |
申请日期 |
2004.07.23 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
中岛健太郎;天野实;上田知正;高桥茂树 |
分类号 |
H01L27/00(2006.01);G11C11/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/00(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
岳耀锋 |
主权项 |
1.一种磁存储器装置,具有:基板;以及在上述基板上形成的布线层,上述布线层包含:下部电极;配置在上述下部电极之上、包含绝缘阻挡层而构成的磁阻效应元件;层叠在上述磁阻效应元件之上的至少一层硬掩模层;以及与上述硬掩模层连接的上部布线,上述包含绝缘阻挡层的磁阻效应元件的侧面相对于其底面形成的锥形角小于等于60度。 |
地址 |
日本东京都 |