应变CMOS的集成制作方法

摘要

本发明公开了一种应变CMOS的集成制作方法，在形成多晶硅栅极导电结构以及间隔层以后，光刻胶保护PMOS的多晶硅栅极和NMOS区域，对PMOS的源漏进行硅凹陷刻蚀，去除光刻胶层，然后电介质层保护PMOS的多晶硅栅极和NMOS区域，同时进行硅凹陷区域的硅锗外延生长，之后去除电介质层，进行后续的制程。

主权项

1.应变CMOS的集成制作方法，包括如下步骤：a)在衬底上的氧化物层上淀积多晶硅和淀积硬掩模材料，光刻、显影、离子束刻蚀形成多晶硅栅极图案；b)去除多晶硅上的硬掩模；c)衬底经过各种离子注入和活化回火掺杂，多晶硅栅极两侧通过淀积电介质和回蚀形成多晶硅间隔层；d)电介质层淀积在衬底上，光刻胶掩模覆盖PMOS多晶硅和整个NMOS区域的图案；e)刻蚀工艺去除PMOS源漏区域的淀积的电介质层，硅凹陷刻蚀以形成PMOS区域凹陷源漏；f)去除光刻胶；g)PMOS区域凹陷源漏上外延生长硅锗；h)去除保护PMOS区域多晶硅和NMOS区域的电介质；i)进行其他后续制程。