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发明名称
Method for implanting ions to wafer for manufacturing of semiconductor device and method of fabricating graded junction using the same
摘要
申请公布号
KR100687872(B1)
申请公布日期
2007.02.27
申请号
KR20050041817
申请日期
2005.05.18
申请人
发明人
分类号
H01L21/265
主分类号
H01L21/265
代理机构
代理人
主权项
地址
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