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Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung zum Treiben einer Wortleitung eines Speicherbauelements mit einem ersten Wortleitungstreiber (20), der konfiguriert ist, um eine Wortleitung (WL<0>) in Reaktion auf ein Wortleitungsauswahlsignal (WL_EN<0>) durch Anlegen eines ersten Wortleitungstreiberspannungssignals (VRD, VPGM) in einem ersten Betriebsmodus zu treiben, einem zweiten Wortleitungstreiber (22), der konfiguriert ist, um die Wortleitung in Reaktion auf das Wortleitungsauswahlsignal durch Anlegen eines zweiten Wortleitungstreiberspannungssignals (VERS) in einem zweiten Betriebsmodus zu treiben, und einem Passiertransistor (24), der zwischen dem ersten Wortleitungstreiber und der Wortleitung eingeschleift und konfiguriert ist, um das erste Wortleitungstreiberspannungssignal in Reaktion auf ein Steuerspannungssignal (RDDRV) zur Wortleitung zu übertragen, und auf ein korrespondierendes Wortleitungstreiberverfahren. DOLLAR A Erfindungsgemäß sind Steuerspannungssignalmittel (26) zur Selbstverstärkung des Steuerspannungssignals während einer Anfangsstufe des ersten Betriebsmodus und zum Halten desselben auf einem stabilen Spannungspegel vorhanden. DOLLAR A Verwendung z. B. in Flashspeichern von tragbaren Geräten, wie Mobiltelefonen.
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