| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiterbauteil (30) mit Halbleiterchipstapel (17) und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Leistungshalbleiterbauteil mit Leistungsfeldeffekttransistoren in Brücken- (16), Parallel- oder Serienschaltung (18), wobei das Leistungshalbleiterbauteil (30) einen Basisleistungshalbleiterchip (1) mit großflächigen Außenkontakten (S1, D1) auf Ober- (31) und Rückseite (32) aufweist und mindestens einen gestapelten Leistungshalbleiterchip (2) trägt. Der gestapelte Leistungshalbleiterchip (2) ist mit mindestens einer großflächigen Außenelektrode (D2) auf einer entsprechend großflächigen Außenelektrode (S1) oberflächenmontiert. Zwischen den oberflächenmontierten Außenelektroden (S1, D1) des Basisleistungshalbleiterchips (1) und des gestapelten Leistungshalbleiterchips (2) ist mindestens ein metallischer, strukturierter Abstandshalter (33) angeordnet. Die Struktur des Abstandshalters (33) weist mindestens eine Aussparung (34) für ein nicht oberflächenmontierbares Verbindungselement (35) des Basisleistungshalbleiterchips (1) auf. |
