发明名称 Verfahren zum Durchführen einer Programmieroperation eines nicht-flüchtigen Speicherbauelements und nicht-flüchtigen Speicherbauelement
摘要 Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Durchführen einer Programmieroperation eines nicht-flüchtigen Speicherbauelements, ein Verfahren zum Programmieren eines nicht-flüchtigen Speicherbauelements und ein nicht-flüchtiges Speicherbauelement. DOLLAR A Das Verfahren zum Durchführen einer Programmieroperation eines nicht-flüchtigen Speicherbauelements (1000) umfasst die Schritte: a) Programmieren von ausgewählten Speicherzellen des nicht-flüchtigen Speicherbauelements (1000); b) Lesen von Datenbits aus den ausgewählten Speicherzellen; c) Durchführen einer ersten Spalten-Abtastoperation durch sequentielles Auswählen von vorbestimmten Untereinheiten der Datenbits und Ermitteln, ob beliebige der ausgewählten Speicherzellen falsch programmiert worden sind, basierend auf den ausgewählten Untereinheiten; d) beim Ermitteln, dass mindestens eine der ausgewählten Speicherzellen falsch programmiert wurde, und vor dem Auswählen von allen vorbestimmten Untereinheiten der Datenbits während der ersten Spalten-Abtastoperation, Durchführen einer zweiten Spalten-Abtastoperation zum Ermitteln einer Gesamtanzahl der ausgewählten Speicherzellen, die falsch programmiert worden sind; und e) beim Ermitteln, dass die Gesamtanzahl der ausgewählten Speicherzellen, die falsch programmiert worden sind, geringer ist als eine Anzahl, die durch einen Fehler-Korrekturschaltkreis korrigierbar ist, Beenden der Programmieroperation mit einem Programmier-Pass-Status. DOLLAR A Verwendung beispielsweise in der ...
申请公布号 DE102006034495(A1) 申请公布日期 2007.02.22
申请号 DE200610034495 申请日期 2006.07.19
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 LEE, CHUL-HO;LEE, JIN-YUB
分类号 G06F11/00;G11C7/22;G11C16/34;G11C29/52 主分类号 G06F11/00
代理机构 代理人
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