发明名称 Fotodetektor, Röntgenstrahlenflachbilddetektor und Verfahren zur Herstellung dergleichen
摘要 Die Erfindung betrifft einen flächenhaften organischen Fotodetektor (FD2, FD3, FD4), aufweisend eine strukturierte, mehrere Teilelektroden (33a-33h) umfassende erste Elektrode (33), eine zweite Elektrode (36, 116), wenigstens eine erste organische Schicht (34, 74, 114) und eine zweite organische Schicht (35, 75, 115). Die beiden organischen Schichten (34, 35, 74, 75, 114, 115) sind zwischen den beiden Elektroden (33, 36) angeordnet und entsprechend der ersten Elektrode (33) strukturiert, sodass die beiden organischen Schichten (34, 35, 74, 75, 114, 115) in mehrere, den einzelnen Teilelektroden (33a-33h) der ersten Elektrode (33) zugeordnete aktive Bereiche (75a-75h) unterteilt sind. Die Erfindung betrifft ferner einen Röntgenstrahlenflachbilddetektor (RFD), der einen solchen flächenhaften organischen Fotodetektor (FD2, FD3, FD4) umfasst und Herstellungsverfahren für einen solchen flächenhaften organischen Fotodetektor (FD2, FD3, FD4) bzw. Röntgenstrahlenflachbilddetektor (RFD).
申请公布号 DE102005037289(A1) 申请公布日期 2007.02.22
申请号 DE200510037289 申请日期 2005.08.08
申请人 SIEMENS AG 发明人 FUERST, JENS;HENSELER, DEBORA;WITTMANN, GEORG
分类号 H01L51/42;G01T1/20;H01L51/48 主分类号 H01L51/42
代理机构 代理人
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