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Ein Gate-gesteuertes Fin-Widerstandselement zur Verwendung als ESD-Schutzelement in einem elektrischen Schaltkreis weist eine Fin-Struktur auf, welche Fin-Struktur einen ersten Anschlussbereich, einen zweiten Anschlussbereich sowie einen zwischen dem ersten und dem zweiten Anschlussbereich ausgebildeten Kanalbereich aufweist. Ferner weist das Gate-gesteuerte Fin-Widerstandselement einen zumindest über einem Teil der Oberfläche des Kanalbereiches ausgebildeten Gate-Bereich auf. In einer Ausführungsform ist der Gate-Bereich mit einer Gate-Steuereinrichtung elektrisch gekoppelt, welche Gate-Steuereinrichtung ein an dem Gate-Bereich angelegtes elektrisches Potential steuert, derart, dass das Gate-gesteuerte Fin-Widerstandselement während eines ersten Betriebszustandes des elektrischen Schaltkreises einen hohen elektrischen Widerstand und während eines zweiten, durch den Eintritt des ESD-Ereignisses gekennzeichneten Betriebszustandes einen niedrigeren elektrischen Widerstand aufweist. In einer alternativen Ausführungsform ist der Gate-Bereich mit dem zweiten Anschlussbereich elektrisch gekoppelt, so dass das Gate-gesteuerte Fin-Widerstandselement während eines ersten Betriebszustandes des elektrischen Schaltkreises einen niedrigen elektrischen Widerstand und während eines zweiten, durch den Eintritt eines ESD-Ereignisses gekennzeichneten Betriebszustandes einen höheren elektrischen Widerstand aufweist. |
