| 主权项 |
1.一种侧射型发光二极体装置,至少包含: 一侧射型封装支架,具有一凹陷;以及 一发光二极体晶片,固晶、焊线及封胶于该凹陷内 ,其中该发光二极体晶片的长度介于270-1600m之间 ,该发光二极体晶片的宽度介于150-380m之间,且该 发光二极体晶片的长宽比(长度/宽度)大于或等于1 .8。 2.如申请专利范围第1项所述之侧射型发光二极体 装置,其中该凹陷的开口宽度介于0.3 mm-1.2 mm之间 。 3.如申请专利范围第1项所述之侧射型发光二极体 装置,其中该发光二极体晶片的基材的材质为蓝宝 石(Al2O3)或SiC。 4.一种侧射型发光二极体装置,至少包含: 一侧射型封装支架,具有一凹陷,且其开口宽度介 于0.3 mm-1.2 mm之间;以及 一发光二极体晶片,固晶、焊线及封胶于该凹陷内 ,其中该发光二极体晶片的长宽比(长度/宽度)大于 或等于1.8。 5.如申请专利范围第4项所述之侧射型发光二极体 装置,其中该发光二极体晶片的基材的材质为蓝宝 石(Al2O3)或SiC。 6.一种侧射型发光二极体装置,至少包含: 一侧射型封装支架,具有一凹陷;以及 一发光二极体晶片,固晶、焊线及封胶于该凹陷内 ,其中该发光二极体晶片的长宽比(长度/宽度)大于 或等于1.8。 7.如申请专利范围第6项所述之侧射型发光二极体 装置,其中该凹陷的开口宽度介于0.3 mm-1.2 mm之间 。 8.如申请专利范围第6项所述之侧射型发光二极体 装置,其中该发光二极体晶片的基材的材质为蓝宝 石(Al2O3)或SiC。 9.一种白光侧射型发光二极体装置,其CIE 1391范围 为x=0.24-0.35;y=0.22-0.38,该发光二极体装置至少包含: 一侧射型封装支架,具有一凹陷;以及 一发光二极体晶片,固晶、焊线及封胶于该凹陷内 ,其中该发光二极体晶片的长度介于270-1600m之间 ,该发光二极体晶片的宽度介于150-380m之间,且该 发光二极体晶片的长宽比(长度/宽度)大于或等于1 .8。 10.如申请专利范围第9项所述之发光二极体装置, 其中该凹陷的开口宽度介于0.3 mm-1.2 mm之间。 11.如申请专利范围第9项所述之发光二极体装置, 其中该发光二极体晶片的基材的材质为蓝宝石(Al2 O3)或SiC。 12.一种蓝光侧射型发光二极体装置,其CIE范围为x=0 .08-0.18;y=0.01-0.10,该发光二极体装置至少包含: 一侧射型封装支架,具有一凹陷;以及 一发光二极体晶片,固晶、焊线及封胶于该凹陷内 ,其中该发光二极体晶片的长度介于270-1600m之间 ,该发光二极体晶片的宽度介于150-380m之间,且该 发光二极体晶片的长宽比(长度/宽度)大于或等于1 .8。 13.如申请专利范围第12项所述之发光二极体装置, 其中该凹陷的开口宽度介于0.3 mm-1.2 mm之间。 14.如申请专利范围第12项所述之发光二极体装置, 其中该发光二极体晶片的基材的材质为蓝宝石(Al2 O3)或SiC。 图式简单说明: 第1图系绘示依照本新型一较佳实施例的一种侧射 型发光二极体装置的俯视图;以及 第2图系绘示依照本新型一较佳实施例的一种侧射 型发光二极体装置的剖面图;以及 第3图系绘示依照本新型一较佳实施例的侧射型发 光二极体装置整体出光效果与其晶片长宽比的关 系图。 |
