| 主权项 |
1.一种模板,其系于一模板总成中用于支撑一抛光 元件于一抛光装置上,该模板系包含: 一大致上平坦表面,其系具有一导入前缘及一末尾 后缘,其中该后缘系位于该大致上平坦表面上远离 该前缘的相反端处; 多数的流体通道,其系设在该模板的前缘与后缘之 间,其中该各流体通道包含一对应开口形成于该平 坦表面上;及 至少一改变位相区,其系设在该模板上,其中该至 少一改变位相区系成形为一连续弧,该连续弧系具 一少于180之弧长,且该各改变位相区系包含一相 对于该平坦表面而升高位相的区,以及相对于该平 坦表面而降低位相的区之两者其一。 2.如申请专利范围第1项之模板,其中该抛光元件及 该抛光装置系分别为一线性抛光元件及线性抛光 装置,且其中该至少一改变位相区乃包含一升高位 相区,该升高位相区系设置于较远离该前缘而较靠 近于后缘处。 3.如申请专利范围第1项之模板,其中该抛光元件及 该抛光装置系分别为一旋转抛光元件及旋转抛光 装置,且其中该至少一改变位相区乃包含一升高位 相区,该升高位相区系设置于较远离该前缘而较靠 近于后缘处。 4.如申请专利范围第2或3项之模板,其中该至少一 改变位相区又包含一降低位相区,该降低位相区系 设置于较远离该后缘而较靠近于前缘处。 5.如申请专利范围第1项之模板,其中该等多数的流 体通道系被设成该大致上平坦表面上之多个同心 圆图案。 6.如申请专利范围第5项之模板,其中该至少一改变 位相区系被设于该等流体通道的二相邻同心圆图 案之间。 7.如申请专利范围第1项之模板,其中该至少一改变 位相区系包含该模板之大致上平坦表面的一体部 份。 8.如申请专利范围第1项之模板,其中该模板之平坦 表面系包含一第一材料,而该至少一改变位相区包 含一升高位相区,其系由一与该第一材料不同的第 二材料所构成。 9.如申请专利范围第8项之模板,其中该第二材料系 可卸除地附着于该第一材料。 10.如申请专利范围第8项之模板,其中该第二材料 系以黏着剂附着于该第一材料。 11.如申请专利范围第1项之模板,其中该改变位相 区系包含一升高位相区,其系具有0.000至0.250英寸 的高度。 12.如申请专利范围第1项之模板,其中该改变位相 区系包含一升高位相区,其系具有0.030至0.040英寸 的高度。 13.一种模板,其系用于一线性抛光装置中,该抛光 装置系具有一用来支撑一线性带的线性带支撑总 成,其中具有一直径之一晶圆会被压抵于该线性带 的一面上;该模板系包含: 一大致上平坦表面,其系位于该线性带相对于该晶 圆的底面处,该大致上平坦表面系被设于该线性带 支撑总成中,并具有一直径大于晶圆直径,该模板 又包含一导入前缘及一末尾后缘,其中该后缘系位 于该平坦表面上远离该前缘的相反端处; 多数的流体通道,其系设于该模板的前缘与后缘之 间,其中该各流体通道包含一对应开口形成于该平 坦表面上;及 至少一升高位相区,其系对称于一自该前缘延伸于 该后缘的直径,且位于较远离该前缘而较靠近该后 缘处,其中该至少一升高位相区系成形为一具少于 180之弧长的连续弧。 14.如申请专利范围第13项之模板,其中该等多数的 流体通道系被设成该大致上平坦表面上之多个同 心圆图案。 15.如申请专利范围第13项之模板,其中该至少一升 高位相区系被设在该模板上而位于该晶圆直径外 部。 16.如申请专利范围第13项之模板,其中该至少一升 高相位区乃包含该模板之大致上平坦表面的一体 部份。 17.如申请专利范围第13项之模板,其中该模板之大 致上平坦表面系包含一第一材料,而该至少一升高 位相区系包含一第二材料,其系不同于该第一材料 。 18.如申请专利范围第13项之模板,其中该至少一升 高位相区系可移动地设于该模板中。 19.如申请专利范围第13项之模板,其中该至少一升 高位相区系具有会沿其长度而改变之一高度。 20.如申请专利范围第13项之模板,其中该至少一升 高位相区系包含一第一升高位相区,其系设于离该 模板中心之一第一径向距离处,及一第二升高位相 区,其系设于离该模板中心之一第二径向距离处, 而该第一与第二径向距离系为不同者。 21.一种模板,其系于一模板总成中用于支撑一抛光 元件于一抛光装置上,该模板系包含: 一大致上平坦表面,其系位于该抛光元件相对于晶 圆的底面处,该大致上平坦表面系设于该支撑总成 中并具有一直径大于晶圆直径,该模板又包含一导 入前缘及一末尾后缘,其中该后缘系位于该大致上 平坦表面上远离该前缘的相反端处; 多数的流体通道,其系设于该模板的前缘与后缘之 间,该各通道包含一对应开口形成于该平坦表面上 ;及 一分段的模板环,其系围绕该平坦表面的一部份来 设置,其中该各区段系可被设成一升高相位区或一 降低相位区。 22.如申请专利范围第21项之模板,其中该等多数的 流体通道系被设成该大致上平坦表面上之多个同 心圆图案。 23.如申请专利范围第21项之模板,其中该区段系为 升高位相区,而具有不大于0.250英寸的高度。 24.如申请专利范围第21项之模板,其中该区段系为 降低位相区,而具有不低于-0.250英寸的高度。 25.如申请专利范围第21项之模板,其中该模板环系 由四个区段所组成。 26.如申请专利范围第21项之模板,其又包含机械式 柱体等,其中各区段的高度系可利用该等机械柱体 来调整。 27.如申请专利范围第21项之模板,其又包含一控制 器,其中该控制器系可程式化而送出信号,以调整 个别区段的高度。 28.如申请专利范围第27项之模板,其中该控制器系 传送信号至一电马达。 29.如申请专利范围第27项之模板,其中该控制器系 传送信号至一气动高度调整装置,以调整各区段的 高度。 30.如申请专利范围第27项之模板,其中该控制器系 传送信号至一液压高度调整装置,以调整各区段的 高度。 31.如申请专利范围第27项之模板,其又包含一量测 工具,以测量一被抛光晶圆的表层厚度,其中一表 层厚度测量値系被传送至该控制器,因此该控制器 可送出一信号,以调整个别区段的高度。 32.如申请专利范围第27项之模板,其中该抛光晶圆 的表层厚度测量値系可由一工业级的先进制程控 制系统来获得,且其中该表层厚度测量値系被传送 至该控制器,因此该控制器可送出一信号,以调整 个区段的高度。 33.一种模板,其系用于一抛光装置中,该抛光装置 系具有一用来支撑抛光元件的支撑总成,其中具有 一直径之一晶圆会被压抵于该抛光元件的一面上; 该模板系包含: 一大致上平坦表面,其系位于该抛光元件相对于该 晶圆的底面处,该大致上平坦表面系被设在该支撑 总成中,并具有一直径大于晶圆直径,该模板又包 含一导入前缘及一末尾后缘,其中该后缘系位于该 平坦表面上远离该前缘的相反端处; 多数的流体通道,其系设于该模板的前缘与后缘之 间,其中该各流体通道包含一对应开口形成于该平 坦表面上;及 一用以在该模板之大致上平坦表面之一部份上提 供至少一成形为连续弧状之改变相位区的装置,该 连续弧系具少于180之弧长于该模板之大致上平坦 表面之一部份上,其中该改变相位区之弧长系相对 于该模板之中心。 34.如申请专利范围第1项之模板,其中该至少一改 变位相区系调整至至少一多数流体通道。 35.如申请专利范围第5项之模板,其中该至少一改 变位相区之弧长系相对于模板中心点而量测之。 36.如申请专利范围第35项之模板,其中该至少一改 变位相区系设置以径向朝外流体通道之至少一同 心圆。 37.如申请专利范围第35项之模板,其中该至少一改 变位相区系设置径向朝外超出流体通道之最外围 同心圆。 38.如申请专利范围第13项之模板,其中该至少一改 变位相区系为不可移动式,且其系于该模板之固定 位置中。 39.一种模板,其系用于一线性抛光装置中,该抛光 装置系具有一用来支撑一线性带的线性带支撑总 成,其中具有一直径之一晶圆会被压抵于该线性带 的一面上;该模板系包含: 一大致上平坦表面,其系位于该线性带相对于该晶 圆的底面处,该模板又包含: 一导入前缘及一末尾后缘,其中该后缘系置于该大 致上平坦表面上远离该前缘的相反端处;及 一导入前半缘与一末尾后半缘,其中该导入前半缘 系藉一第一直径将该末尾后半缘分离,该第一直径 系延伸通道该模板之一中心点,其中,该第一直径 系垂直于一第二直径,该第二直径系自该导入前缘 延伸至该末尾后缘。 多数的流体通道,其系设于该模板的前缘与后缘之 间,其中该各流体通道包含一对应开口形成于该平 坦表面上;及 至少一升高位相区,其系置于该大致上平坦表面之 一部份上,其中该至少一升高位相区系仅位于该大 致上平坦表面之一导入前半缘与一末尾后半缘两 者之一。 40.如申请专利范围第39项之模板,其中该至少一改 变位相区系对称于该第二直径。 图式简单说明: 第1图为一适合与一较佳实施例之模板总成一起使 用的线性晶圆抛光机之立体图。 第2图示出一较佳实施例之模板总成。 第3图为第2图之模板总成的分解图。 第4图为第一变化实施例之模板总成的平面图。 第5图为第二变化实施例之模板总成的平面图。 第6图为第三变化实施例之模板总成的平面图。 第7A图为可适用于第2-6图的模板总成之位相上升 区的截面图。 第7B图为第7A图之截面图的第一变化实施例。 第7C图为第7A图之截面图的第二变化实施例。 第7D图为第7A图之截面图的第三变化实施例。 第8图示出可适用于第2-6图的模板总成之位相上升 区的侧视图。 第9图为第四变化实施例之模板总成的平面图。 第10图为第五变化实施例之模板总成的平面图。 第11图为一适合与一较佳实施例之模板总成一起 使用的旋转晶圆抛光机之立体图。 |
