| 主权项 |
1.一种制造羟胺之方法,该方法系将含有酸性缓冲 剂与硝酸根之水性反应介质导入羟胺合成区,在触 媒存在的条件下进行羟胺合成反应,使该硝酸根还 原成羟胺,其中,该水性反应介质中的铁金属含量 系100ppm以下。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中,该水性反应 介质中的铁金属含量系75ppm以下。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中,该水性反应 介质中的铁金属含量系55ppm以下。 4.一种制造羟胺之方法,该方法系将含有酸性缓冲 剂与硝酸根之水性反应介质导入羟胺合成区,在触 媒存在的条件下进行羟胺合成反应,使该硝酸根还 原成羟胺,其中,该水性反应介质中的铜金属含量 系0.9ppm以下。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中,该水性反应 介质中的铜金属含量系0.09ppm以下。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中,该水性反应 介质中的铜金属含量系0.05ppm以下。 7.如申请专利范围第1或4项之方法,其中,该酸性缓 冲剂系选自硫酸、磷酸及其酸式盐所构成之组群 。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中,该酸性缓冲 剂系磷酸盐。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中,该方法系用 于羟胺-化循环制程。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中,该羟胺合成 反应系于20至100℃之温度条件下进行。 11.如申请专利范围第9项之方法,其中,该羟胺合成 反应系于10至30公斤/平方公分之压力条件下进行 。 12.如申请专利范围第9项之方法,其中,该羟胺合成 反应系于pH0.5至6的条件下进行。 13.如申请专利范围第9项之方法,其中,该触媒系选 自钯、及钯-铂贵金属触媒所构成之组群。 |
