| 主权项 |
1.一种形成一层对放射线敏感之物质的方法,其中 该物质层系形成于一基板上,该方法包括下列步骤 : 以该放射线照射该物质;以及 显影该物质以移除该物质之一部分及显露该基板 之一部分,并产生由该基板显露部分所定义之一图 案; 其中,该照射包括下列步骤: (a)以该放射线,透过一第一光罩照射该物质,其中 该第一光罩具有一透明区域及一不透明区域,以及 (b)以该放射线,在没有光罩之下,或透过一第二光 罩照射该物质,其中,在该第二光罩之一透明区域 上至少有一部位为该第一光罩上之一不透明区域, 其中,在此步骤(b)之一照射剂量不足以显影该基板 显露及不显露部分之一图案。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(a) 之该照射剂量不足以修饰该物质以显影该图案。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该物质为 一正光阻,则在该步骤(b)之该照射剂量不足以使该 步骤(b)中被照射之该物质在显影过程中被移除。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该物质为 一负光阻,则在该步骤(b)之该照射剂量不足以使该 步骤(b)中被照射之该物质在显影过程中抵抗被移 除。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b) 更包括照射该物质,透过在该透明区域外具有一不 透明区域之该第二光罩。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第一光 罩之该不透明区域具有一凹角,以及该第二光罩之 该透明区域,与该第一光罩之该不透明区域在该凹 角相互重叠。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第二光 罩之该不透明区域在该第一光罩之该凹角部位,不 具有一凹角。 8.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第一光 罩之该透明区域包含由一不透明间隔分开之二透 明次区域,以及该第二光罩之该透明区域覆盖到该 不透明间隔。 9.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第二光 罩在该第一光罩为透明的位置上皆为透明。 10.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第二 光罩之该透明区域并没有完全重叠到该第一光罩 之所有该透明区域上。 11.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第一 光罩之该透明区域包含被该第一光罩之该不透明 区域所环绕之一连续延长区域,且该连续延长区域 具有邻接该第一光罩之该不透明区域之一凸角端; 以及该第二光罩之该透明区域与该第一光罩在该 凸角端之该不透明区域相重叠,并且至少延伸至该 凸角端与该第一光罩之该不透明区域间之一边界 。 12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第二 光罩之该透明区域覆盖该凸角端边界,并且延伸超 过与横断该连续延长区域方向之该边界。 13.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第一 光罩之该透明区域包括复数个连续延长区域被该 第一光罩之该不透明区域所环绕,且每一个该复数 个连续延长区域具有邻接该第一光罩之该不透明 区域之一凸角端;以及该第二光罩之该透明区域, 包括一连续区域,且该连续区域与该第一光罩之该 不透明区域相重叠,并且至少延伸至每一该凸角端 之位置。 14.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第二 光罩之该透明区域覆盖到该第一光罩之该透明区 域之一位置,并且延伸超过横跨该第一光罩之该透 明区域之该位置。 15.一种多重微影曝光方法,用于一半导体制程上, 该方法包括下列步骤: 提供一层对放射线敏感之物质,其中该物质系形成 于一基板上; 以该放射线照射该物质;以及 显影该物质以移除该物质之一部分及显露该基板 之一部分,并产生由该基板显露部分所定义之一图 案; 其中,该照射包括下列步骤: (a)以该放射线,透过一第一光罩照射该物质,其中 该第一光罩具有一透明区域及一不透明区域,以及 (b)以该放射线,在没有光罩之下,或透过一第二光 罩照射该物质,其中,在该第二光罩之一透明区域 上至少有一部位为该第一光罩上之一不透明区域, 其中,在此步骤(b)之一照射剂量不足以显影该基板 显露及不显露部分之一图案。 图式简单说明: 第一图:其系为一习知之光阻曝光系统之侧视图, 其亦适用于本案之一些实施例; 第二图:其系为一习知光罩与其相对应形成在光阻 层上图案之平面图; 第三图:其系为另一习知光罩之平面图; 第四图:其系为本案一些较佳实施例之光罩平面图 ; 第五图:其系为一相对于第四图中该光罩之一光阻 图案平面图;以及 第六-十图:其系为本案一些较佳实施例之光罩平 面图。 |
