| 主权项 |
1.一种接触窗开口(Contact Hole)的制造方法,包括: 于一基底上形成一罩幕层; 于该罩幕层中形成至少一第一沟渠,该第一沟渠的 深度不大于该罩幕层的厚度,且该第一沟渠往一第 一方向延伸; 于该罩幕层中形成至少一第二沟渠,该第二沟渠的 深度不大于该罩幕层的厚度,该第二沟渠往一第二 方向延伸,该第二方向与该第一方向交错,该第二 沟渠与该第一沟渠交错处的该罩幕层中形成有一 开口,该开口暴露该基底;以及 移除该开口所暴露的部分该基底。 2.如申请专利范围第1项所述之接触窗开口的制造 方法,其中于该罩幕层中形成至少该第一沟渠的步 骤包括: 于该罩幕层上形成一第一图案化光阻层; 以该第一图案化光阻层为罩幕,移除部分该罩幕层 ,以于该罩幕层中形成至少该第一沟渠;以及 移除该第一图案化光阻层。 3.如申请专利范围第2项所述之接触窗开口的制造 方法,其中该第一图案化光阻层之材质包括正光阻 或负光阻。 4.如申请专利范围第1项所述之接触窗开口的制造 方法,其中于该罩幕层中形成至少该第二沟渠的步 骤包括: 于该罩幕层上形成一第二图案化光阻层; 以该第二图案化光阻层为罩幕,移除部分该罩幕层 ,以于该罩幕层中形成至少该第二沟渠。 5.如申请专利范围第4项所述之接触窗开口的制造 方法,其中于该罩幕层中形成该第二沟渠之后,以 及移除该开口所暴露的部分该基底之前,更包括移 除该第二图案化光阻层。 6.如申请专利范围第4项所述之接触窗开口的制造 方法,其中该第二图案化光阻层之材质包括正光阻 或负光阻。 7.如申请专利范围第1项所述之接触窗开口的制造 方法,其中该第一沟渠暴露该基底。 8.如申请专利范围第1项所述之接触窗开口的制造 方法,其中该罩幕层之材质包括氮化矽。 9.一种接触窗开口的制造方法,包括: 于一基底上形成一罩幕层; 于该罩幕层上形成一第一光阻层; 利用一第一光罩对该第一光阻层进行一第一曝光 制程,其中该第一光罩具有至少一第一线形开口, 且该第一线形开口往一第一方向延伸; 进行一第一显影制程,以于该第一光阻层中形成至 少一第一沟渠,并暴露该罩幕层,至少该第一沟渠 往该第一方向延伸; 以该第一光阻层为罩幕,进行一第一蚀刻制程,以 于该罩幕层中形成至少一第二沟渠,该第二沟渠的 深度不大于该罩幕层的厚度; 去除该第一光阻层; 于该基底上形成一第二光阻层; 利用一第二光罩对该第二光阻层进行一第二曝光 制程,其中该第二光罩具有至少一第二线形开口, 且该第二线形开口往一第二方向延伸; 进行一第二显影制程,以于该第二光阻层中形成至 少一第三沟渠,并暴露该罩幕层,至少该第三沟渠 往该第二方向延伸,该第二方向与该第一方向交错 ; 以该第二光阻层为罩幕,进行一第二蚀刻制程,以 于该罩幕层中形成一第四沟渠,该第四沟渠的深度 不大于该罩幕层的厚度,且该第二沟渠与该第四沟 渠交错处暴露该基底;以及 移除暴露的部分该基底。 10.如申请专利范围第9项所述之接触窗开口的制造 方法,其中于形成该第四沟渠之后,移除暴露的部 分该基底之前,更包括去除该第二光阻层。 11.如申请专利范围第9项所述之接触窗开口的制造 方法,其中该第一光阻层之材质包括正光阻或负光 阻。 12.如申请专利范围第9项所述之接触窗开口的制造 方法,其中该第二光阻层之材质包括正光阻或负光 阻。 13.如申请专利范围第9项所述之接触窗开口的制造 方法,其中该罩幕层之材质包括氮化矽。 图式简单说明: 图1A至图1E是本发明之第一实施例之接触窗开口的 制造流程立体图。 图2是图1D的俯视图。 图3A至图3D是本发明之第二实施例之接触窗开口的 制造流程立体图。 |
