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1.一种锂蓄电池正极用锂钴复合氧化物之制造方 法,其特征为,将钴源、锂源、及因应需求之下述M 元素源以及氟源之混合物,于含氧气氛中,以800~1050 ℃烧成之一般式LipCoxMyOzFa(但,M为钴以外之过渡金 属元素、铝或硷土类金属元素;0.9≦p≦1.1;0.980≦x ≦1.000;0≦y≦0.02;1.9≦z≦2.1;x+y=1;0≦a≦0.02)表示之 锂钴复合氧化物的制造方法,该钴源使用比表面积 为5~50平方公尺/公克,压缩密度为1.0~2.5公克/立方 公分,而且具有一次粒子凝聚形成二次粒子之构造 的氢氧化钴(第1之氢氧化钴);二次粒子分散于纯水 中后之平均粒子径D50为原来平均粒子径D50的1/4以 下之氢氧化钴(第1之氢氧化钴)。 2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中使用含有 上述氢氧化钴(第1之氢氧化钴)、与具有由一次粒 子凝聚而成,平均粒径在7~20m,大略呈球状之二次 粒子的第2之氢氧化钴、四氧化三钴或硷式氢氧化 钴,依钴原子比为5:1~1:5之混合物,做为钴源。 3.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中第1之 氢氧化钴,以Cu-K为线源,使用X射线衍射所测得2 =191度之(001)面的衍射尖峰半値幅度为0.18~0.35度 ;2=381度之(101)面的衍射尖峰半値幅度为0.15~0.35 度。 4.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中第1之 氢氧化钴,其二次粒子的平均粒径D50为5~25m。 5.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中第1之 氢氧化钴,其一次粒子的平均粒径D50为0.1~1.2m。 6.如申请专利范围第2项之制造方法,其中第2之氢 氧化钴、四氧化三钴、或硷式氢氧化钴,其比表面 积在2平方公尺/公克以上,栓塞密度为1.7~ 2.4公克/ 立方公分。 7.如申请专利范围第2项之制造方法,其中第2之氢 氧化钴、四氧化三钴、硷式氢氧化钴,其D10在D50之 50%以上,D90在D50之150%以下。 8.如申请专利范围第2项之制造方法,其中硷式氢氧 化钴,以Cu-K为线源,在X射线衍射光谱上,2=311 度之(220)面的衍射尖峰半値幅度为0.8度以上;2=37 1度之(311)面的衍射尖峰半値幅度为0.8度以上;比 表面积为10~80平方公尺/公克。 9.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中锂钴 复合氧化物之压缩密度为3.15~3.40公克/立方公分。 10.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中一般 式之M为,至少一种以上选自钛、锆、铪、钒、铌 、钽、锰、镁、钙、锶、钡、及铝所成群之金属 元素。 11.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中锂钴 复合氧化物,其(110)面之衍射尖峰半値幅度为0.07~0. 14度,比表面积为0.3~0.7平方公尺/公克,发热开始温 度在160℃以上。 12.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中锂钴 复合氧化物所含有之残留硷量,在0.03重量%以下。 |
