发明名称 测试座与电性测试装置
摘要 一种测试座,适于放置一晶片封装体。此测试座包括一排针插座及一孔板。排针插座具有一绝缘本体以及多个伸缩簧针,其中绝缘本体具有多个用以放置这些伸缩簧针之穿孔。孔板则可拆卸地配置于绝缘本体上,孔板具有多个贯孔以及至少一凹孔,这些贯孔是对应容纳多个伸缩簧针,使伸缩簧针之一端电性连接至晶片封装体,而对应于凹孔处则不设有伸缩簧针。
申请公布号 TWI274407 申请公布日期 2007.02.21
申请号 TW094145497 申请日期 2005.12.21
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 吴嘉展;胡朝雄;郑又仁
分类号 H01L23/32(2006.01);G01R31/28(2006.01) 主分类号 H01L23/32(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种测试座,适于放置一晶片封装体,该测试座包 括: 一排针插座,具有一绝缘本体以及多数个伸缩簧针 ,该绝缘本体具有多数个穿孔,用以放置该些伸缩 簧针;以及 一孔板,可拆卸地配置于该绝缘本体上,该孔板具 有多数个贯孔以及至少一凹孔,其中该些贯孔系对 应容纳该些伸缩簧针,使该些伸缩簧针之一端电性 连接该晶片封装体,而对应于该凹孔处系不设有伸 缩簧针。 2.如申请专利范围第1项所述之测试座,其中该排针 插座还具有一气流通道,贯穿该绝缘本体之侧壁。 3.如申请专利范围第1项所述之测试座,其中该些贯 孔系以机械钻孔而成型。 4.如申请专利范围第1项所述之测试座,其中该凹孔 系以机械钻孔而成型。 5.如申请专利范围第1项所述之测试座,其中多数个 该凹孔以环状排列于该些贯孔之间。 6.如申请专利范围第1项所述之测试座,其中多数个 该凹孔以线性排列于该些贯孔之间。 7.如申请专利范围第1项所述之测试座,其中多数个 该凹孔以点状排列于该些贯孔之间。 8.一种电性测试装置,用以测试一晶片封装体,该电 性测试装置包括: 一测试板,具有多数个接点; 一排针插座,配置于该测试板上,该排针插座具有 一绝缘本体以及多数个伸缩簧针,该绝缘本体具有 多数个穿孔,用以放置该些伸缩簧针,且该些伸缩 簧针之一端分别与该些接点电性连接;以及 一孔板,可拆卸地配置于该绝缘本体上,该孔板具 有多数个贯孔以及至少一凹孔,其中该些贯孔系对 应容纳该些伸缩簧针,以使该些伸缩簧针电性连接 于该晶片封装体与该些接点之间,而对应于该凹孔 处系不设有伸缩簧针。 9.如申请专利范围第8项所述之电性测试装置,其中 该排针插座还具有一气流通道,贯穿该绝缘本体之 侧壁。 10.如申请专利范围第8项所述之电性测试装置,其 中该些贯孔系以机械钻孔而成型。 11.如申请专利范围第8项所述之电性测试装置,其 中该凹孔系以机械钻孔而成型。 12.如申请专利范围第8项所述之电性测试装置,其 中多数个该凹孔以环状排列于该些贯孔之间。 13.如申请专利范围第8项所述之电性测试装置,其 中多数个该凹孔以线性排列于该些贯孔之间。 14.如申请专利范围第8项所述之电性测试装置,其 中多数个该凹孔以点状排列于该些贯孔之间。 15.一种测试座,适于放置一晶片封装体,该测试座 包括: 一排针插座,具有一绝缘本体以及多数个伸缩簧针 ,该绝缘本体具有多数个穿孔,用以放置该些伸缩 簧针; 一第一孔板,配置于该绝缘本体上,该第一孔板具 有多数个第一贯孔;以及 一第二孔板,配置于该第一孔板上,且该第二孔板 具有多数个第二贯孔,其中该些第一贯孔对齐于部 分第二贯孔,并对应容纳该些伸缩簧针,以使该些 伸缩簧针之一端电性连接该晶片封装体,而未对齐 于该些第一贯孔之其余第二贯孔系不设有伸缩簧 针。 16.如申请专利范围第15项所述之测试座,其中该排 针插座还具有一气流通道,贯穿该绝缘本体之侧壁 。 17.如申请专利范围第15项所述之测试座,其中该些 第一贯孔系以机械钻孔而成型。 18.如申请专利范围第15项所述之测试座,其中该些 第二贯孔系以机械钻孔而成型。 19.一种电性测试装置,用以测试一晶片封装体,该 电性测试装置包括: 一测试板,具有多数个接点; 一排针插座,配置于该测试板上,该排针插座具有 一绝缘本体以及多数个伸缩簧针,该绝缘本体具有 多数个穿孔,用以放置该些伸缩簧针; 一第一孔板,配置于该绝缘本体上,该第一孔板具 有多数个第一贯孔;以及 一第二孔板,配置于该第一孔板上,且该第二孔板 具有多数个第二贯孔,其中该些第一贯孔对齐于部 分第二贯孔,并对应容纳该些伸缩簧针,以使该些 伸缩簧针电性连接于该晶片封装体与该些接点之 间,而未对齐于该些第一贯孔之其余第二贯孔系不 设有伸缩簧针。 20.如申请专利范围第19项所述之电性测试装置,其 中该排针插座还具有一气流通道,贯穿该绝缘本体 之侧壁。 21.如申请专利范围第19项所述之电性测试装置,其 中该些第一贯孔系以机械钻孔而成型。 22.如申请专利范围第19项所述之电性测试装置,其 中该些第二贯孔系以机械钻孔而成型。 图式简单说明: 图1是习知之一种电性测试装置对晶片封装体进行 电性测试时的示意图。 图2A是本发明一实施例之电性测试装置对晶片封 装体进行电性测试时的示意图。 图2B是图2A之电性测试装置的上视图。 图3绘示为本实施例之另一种孔板型式的上视图。 图4是本发明另一实施例之电性测试装置对晶片封 装体进行电性测试时的示意图。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号