| 主权项 |
1.一种可控制地加热于一物件之加热装置,其界定 一处理室以容纳该物件并包括: a)一壳,其包括: 一受器部,其至少围住该处理室的一部分;及 一导体部,其位在该受器部与该处理室之间;及 b)一EMF产生器,适于产生一电磁场以感应出涡电流 于该受器部里,以致不会有电磁场施加于该导体部 且在该导体部里不会感应出涡电流; c)其中,该导体部能从该受器部导热至该处理室; d)其中,由该EMF产生器感应出之涡电流系存在于该 受器部里,且无涡电流存在于该导体部里。 2.如申请专利范围第1项之加热装置,其中该受器部 至少减弱该壳从该EMF产生器吸收的功率的90%。 3.如申请专利范围第1项之加热装置,其中该受器部 包括第一材料的受器核及第二材料的受器表层。 4.如申请专利范围第3项之加热装置,其中该第一材 料是石墨。 5.如申请专利范围第3项之加热装置,其中该第二材 料是碳化矽。 6.如申请专利范围第3项之加热装置,其中该第二材 料选自耐热性金属碳化物。 7.如申请专利范围第6项之加热装置,其中该第二材 料是碳化钽。 8.如申请专利范围第1项之加热装置,其中与该处理 室流体相通之该导体部的大致所有面由碳化矽形 成。 9.如申请专利范围第8项之加热装置,其中该导体部 包括第一材料之导体核及第二材料之导体表层,该 第二材料异于该第一材料。 10.如申请专利范围第9项之加热装置,其中该第一 材料是石墨。 11.如申请专利范围第9项之加热装置,其中该第二 材料是耐热性金属碳化物。 12.如申请专利范围第9项之加热装置,其中该第二 材料是碳化矽。 13.如申请专利范围第1项之加热装置,其中: a)该受器部包括第一受器部与第二受器部在该处 理室之相反侧; b)该导体部包括第一衬里及第二衬里,该第一衬里 在该第一受器部与该处理室之间,且该第二衬里在 该第二受器部与该处理室之间。 14.如申请专利范围第13项之加热装置,其中该第二 受器部包括一转盘区,该加热装置还包括: 一转盘,其支持置放在该处理室中的该物件并在该 转盘部之上;及 一开口,其界定在该第二衬中并在该转盘区之上, 且在该转盘区与该转盘之间。 15.如申请专利范围第14项之加热装置,其中该第二 衬里包括第一、二衬里元件,其位在该转盘之相反 侧且各界定该开口之一部分,其中该第一、二衬里 元件可分离。 16.如申请专利范围第15项之加热装置,其中至少该 第一、二衬里元件之一能从该第二受器部分离。 17.如申请专利范围第1项之加热装置,其包括一转 盘以支持在该处理室里的该物件。 18.如申请专利范围第17项之加热装置,其中该EMF产 生器能产生电磁场,以致: 无涡电流在该转盘中藉由该电磁场而感应出;且 该转盘从该受器部导热至该处理室。 19.如申请专利范围第17项之加热装置,其包括一开 口于该导体部里,其中该开口在该受器部与该转盘 之间。 20.如申请专利范围第17项之加热装置,其中该转盘 相对该受器部旋转。 21.如申请专利范围第1项之加热装置,其包括一入 口及一出口与该处理室流体相通。 22.如申请专利范围第21项之加热装置,其包括一处 理气来源,该处理气对热产生反应以沈积碳化矽。 23.如申请专利范围第1项之加热装置,其中该EMF产 生器对该受器加热到至少摄氏1400度。 24.一种用于一感应式加热装置之壳组,其包括: a)一受器部,其围住该处理室之至少一部分;及 b)一热导衬里,其位在该受器部与该处理室之间,其 中该衬里系为可自该受器部分离地形成; c)其中该衬里不需将该受器部分解即可自该受器 部分离。 25.如申请专利范围第24项之壳组,其包括: 第一受器部及第二受器部,其在该处理室之相反侧 ; 第一衬里,其在该第一受器部与该处理室之间;及 第二衬里,其在该第二受器部与该处理室之间。 26.一用于一感应加热装置之壳组,该壳组定义一处 理室,且包括: a)一受器,其环绕于该处理室之至少一部分; b)一热导衬里,其位于该受器与该处理室之间,其中 该衬里系为可自该受器分离地形成;及 c)其中该受器包含一转盘区,该壳组进一步包括: 一转盘,其支持放在该处理室里的该物件并在该转 盘部之上;及 一开口,其界定在该第二衬里,并在该转盘区之上, 且在该转盘区与该转盘之间。 27.如申请专利范围第26项之壳组,其中该衬里包括 第一、二衬里元件在该转盘之相反侧且各界定该 开口之一部分,其中该第一、二衬里元件可分离。 28.如申请专利范围第27项之壳组,其中至少该第一 、二衬里元件之一能从该第二受器部分离。 29.如申请专利范围第24项之壳组,其包括一装置以 准确地并可移动地使该衬里相对该受器定位。 30.一用于一感应加热装置之壳组,该壳组定义一处 理室,且包括: a)一受器,其环绕于该处理室之至少一部分; b)一热导衬里,其位于该受器与该处理室之间,其中 该衬里系为可自该受器分离地形成;及 c)其中该衬里至少沿其长度之一部分改变其厚度 。 31.一种可控制地加热于一物件之方法,其包括: a)把该物件放入一处理室; b)提供一电磁场至一围住该处理室之壳,以致在该 壳的一外受器部里感应出涡电流,且无电磁场施加 于一内导体部以及不会在该内导体部里感应出涡 电流;及 c)经该导体部从该受器部导热至该处理室。 32.如申请专利范围第31项之方法,其中该受器部至 少减弱被该壳吸收之电磁场功率的90%。 33.如申请专利范围第31项之方法,其包括将一处理 气流通过邻近该物件之该处理室。 34.如申请专利范围第33项之方法,其中该使该处理 气流通过该处理室之步骤包括使该处理气流以至 少20 slpm通过该处理室。 35.如申请专利范围第33项之方法,其中该处理气包 括一种选自SiH4及C3H8之化合物。 36.如申请专利范围第31项之方法,其中该物件是半 导体材料基材。 37.如申请专利范围第36项之方法,其中该物件是碳 化矽基材。 38.如申请专利范围第31项之方法,其包括在该导体 部从该受器部导热至该处理室而加热于该物件时 在该物件上沈积一磊晶层。 39.如申请专利范围第31项之方法,其中该受器部包 括一转盘区,且该导体部界定一开口于其中,该方 法还包括: 把该转盘放入该处理室,以致该开口在该转盘区与 该转盘之间;及 把该物件放在该转盘上。 40.如申请专利范围第39项之方法,其中该导体部包 括第一、二衬里部,界定该开口于其间,该方法还 包括: 从该处理室移走该第一衬里部;及 之后,从该处理室移走该转盘。 41.如申请专利范围第31项之方法,其包括把该物件 放在一转盘上并使该转盘与该物件相对该受器部 旋转。 42.如申请专利范围第31项之方法,其包括从该受器 部移走该导体部。 43.一用于一感应加热装置之壳组,该壳组定义一处 理室,且包括: a)一受器,其环绕于该处理室之至少一部分;及 b)一热导衬里,其位于该受器与该处理室之间,其中 该衬里系为可自该受器分离地形成; c)其中该受器包含由第一材料构成之一受器核及 由第二材料构成之一受器表层;及 d)其中该第二材料系选自耐热金属碳化物。 44.如申请专利范围第43项之壳组,其中该第二材料 为碳化钽。 45.如申请专利范围第43项之壳组,其中该第一材料 为石墨。 46.一种用于可控制地加热一物体之加热装置,该加 热装置定义一处理室以固持该物体,且包括: a)一壳,其包括: 一受器部,其环绕该处理室之至少一部分;及 一导体部,其位于该受器部与该处理室之间;及 b)一EMF产生器,可用于在该受器部里感应出涡电流, 以致在该导体部内不会感应出涡电流; c)其中该导体部可用于将热自该受器部传导至该 处理室; d)其中该导体部与该处理室有流体接触之所有表 面系由碳化矽所构成;及 e)其中该导体部包含由一第一材料构成之导体核, 及由一不同于该第一材料之第二材料构成之导体 表层。 47.如申请专利范围第46项之加热装置,其中该第一 材料为石墨。 48.如申请专利范围第46项之加热装置,其中该第二 材料为一耐热金属碳化物。 49.如申请专利范围第46项之加热装置,其中该第二 材料为碳化矽。 图式简单说明: 图1是依本发明的实施例的壳组的爆炸透视图。 图2是图1的壳组的立体图。 图3是依本发明的实施例并包括图1的壳组的反应 器组的立体图。 图4是图3的反应器组的端面图。 图5是形成图1的壳组的一部分的一底受器之俯视 图。 图6是图5的底受器的侧面图。 图7是沿图5的线7-7所取的图5的底受器的剖面图。 图8是沿图1的线8-8所取的形成图1的壳组的一部分 的顶受器的剖面图。 图9是沿图1的线9-9所取的形成图1的壳组的一部分 的侧受器的剖面图。 图10是形成图1的壳组的一部分的底衬里的仰视图 。 图11是图10的底衬里的侧面图。 图12是形成图10的底衬里的一部分的后衬里的端面 图。 图13是沿图10的线13-13所取的图14的底衬里的剖面 图。 图14是形成图1的壳组的一部分的顶衬里的仰视图 。 图15是图14的顶衬里的侧面图。 图16是沿图14的线16-16所取的图14的顶衬里的剖面 图。 图17是沿图1的线17-17所取的形成图1的壳组的一部 分的转盘的剖面图。 |
