| 主权项 |
1.一种双苯乙烯盐化合物,具有下列化学式(I): 其中 A与B系相同或不同,包括苯环、环或含氧、硫或 氮之杂环; R1与R1'系包括氢、卤素、C1-5烷基、硝基、酯基、 羧基、磺酸基、磺胺基、醯胺基、磺酸酯基、C1-3 烷氧基、胺基、C1-5烷胺基、氰基、C1-6烷硫基或C2 -7烷氧羰基; R2、R2'、R3与R3'系相同或不同,包括氢、C1-6取代或 未取代之直链或支链烷基、C6-18取代或未取代之 芳香环、C2-6直链或支链烯基、C3-6环烯基或C3-6取 代或未取代之环烷基,且R2与R3、R2'与R3'可各自相 连成环或与苯环相接成环; R4系择自氢、C1-5烷基、羟基、卤素及C1-5烷氧基所 组成之族群; R5与R5'系相同或不同,包括氢、卤素、C1-5烷基、硝 基、C1-3烷氧基、胺基、氰基、C1-6烷硫基或C2-7烷 氧羰基; W系包括氧、硫、硒、-NR或-C(CH3)2,其中R为C1-4烷基; n为1~18: Z1与Z2系不同,包括一价或二价之阴离子基团或阴 离子有机金属错合物,系择自卤素离子(X-)、过氯 酸根(ClO4-)、四氟硼酸盐(BF4-)、六氟磷酸盐(PF6-)、 四苯硼酸盐(BPh4-)、六氟锑酸盐(SbF6-)、四氰基-对 喏二甲烷(teteaeyano p-quinodimethane, TCNQ-)、四氰乙 烯(tetracyanoetylene, TCNE-)、苯磺酸 盐、 及其衍生物所组成之族群。 2.如申请专利范围第1项所述之双苯乙烯盐化 合物,其中A与B系包括喃(furan)、(pyrazine)、 咯(pyrrole)、唑(pyrazole)、哒(pyridazine)、啶 (pyridine)、啶酮(pyridone)、嘧啶(pyrimidine)、唑( thiazole)、吩(thiophene)、咛(quinine)或异咛( isoquinine)。 3.如申请专利范围第1项所述之双苯乙烯盐化 合物,其中R2、R2'、R3与R3'上之取代基系包括氢原 子、氧原子、氮原子、硫原子、卤素原子、C1-5烷 基、C1-5卤烷基、硝基、氰基、羟基、羧基、酯基 、磺酸基、磺酸酯基或磺胺基。 4.如申请专利范围第1项所述之双苯乙烯盐化 合物,其中该化合物系包括 其中Z1与Z2系不同,包括一价或二价之阴离子基团 或阴离子有机金属错合物,系择自卤素离子(X-)、 过氯酸根(ClO4-)、四氟硼酸盐(BF4-)、六氟磷酸盐(PF 6-)、四苯硼酸盐(BPh4-)、六氟锑酸盐(SbF6-)、四氰 基-对喏二甲烷(teteacyano p-quinodimethane, TCNQ-)、四 氰乙烯(tetracyanoetylene, TCNE-)、苯磺酸 盐、 及其衍生物所组成之族群。 5.如申请专利范围第1项所述之双苯乙烯盐化 合物,其中该化合物系包括 其中Z1与Z2系不同,包括一价或二价之阴离子基团 或阴离子有机金属错合物,系择自卤素离子(X-)、 过氯酸根(ClO4-)、四氟硼酸盐(BF4-)、六氟磷酸盐(PF 6-)、四苯硼酸盐(BPh4-)、六氟锑酸盐(SbF6-)、四氰 基-对喏二甲烷(teteacyano p-quinodimethane, TCNQ-)、四 氰乙烯(tetracyanoetylene, TCNE-)、苯磺酸 盐、 、 及其衍生物所组成之族群。 6.如申请专利范围第1项所述之双苯乙烯盐化 合物,其中该化合物系包括 其中Z1与Z2系不同,包括一价或二价之阴离子基团 或阴离子有机金属错合物,系择自卤素离子(X-)、 过氯酸根(ClO4-)、四氟硼酸盐(BF4-)、六氟磷酸盐(PF 6-)、四苯硼酸盐(BPh4-)、六氟锑酸盐(SbF6-)、四氰 基-对喏二甲烷(teteacyano p-quinodimethane, TCNQ-)、四 氰乙烯(tetracyanoetylene, TCNE-)、苯磺酸 盐、 、 及其衍生物所组成之族群。 7.如申请专利范围第1项所述之双苯乙烯盐化 合物,其中该化合物系包括 其中Z1与Z2系不同,包括一价或二价之阴离子基团 或阴离子有机金属错合物,系择自卤素离子(X-)、 过氯酸根(ClO4-)、四氟硼酸盐(BF4-)、六氟磷酸盐(PF 6-)、四苯硼酸盐(BPh4-)、六氟锑酸盐(SbF6-)、四氰 基-对喏二甲烷(teteacyano p-quinodimethane, TCNQ-)、四 氰乙烯(tetracyanoetylene, TCNE-)、苯磺酸 盐、 、 及其衍生物所组成之族群。 8.如申请专利范围第1项所述之双苯乙烯盐化 合物,其中该化合物系包括 其中Z1与Z2系不同,包括一价或二价之阴离子基团 或阴离子有机金属错合物,系择自卤素离子(X-)、 过氯酸根(ClO4-)、四氟硼酸盐(BF4-)、六氟磷酸盐(PF 6-)、四苯硼酸盐(BPh4-)、六氟锑酸盐(SbF6-)、四氰 基-对喏二甲烷(teteaeyano p-quinodimethane, TCNQ-)、四 氰乙烯(tetraeyanoetylene, TCNE-)、苯磺酸 盐、 、 及其衍生物所组成之族群。 9.如申请专利范围第1项所述之双苯乙烯盐化 合物,其中Z1与Z2之重量百分比大体为1:99~99:1。 10.如申请专利范围第1项所述之双苯乙烯盐化 合物,其中该化合物之吸收波长大体介于400~700nm。 11.如申请专利范围第1项所述之双苯乙烯盐化 合物,其中该化合物之吸收系数()系大于105。 12.如申请专利范围第1项所述之双苯乙烯盐化 合物,其中该化合物于有机溶剂中之溶解度系大于 2%。 13.如申请专利范围第12项所述之双苯乙烯盐 化合物,其中有机溶剂系包括C1-6醇类、C1-6酮类、C 1-8醚类、卤素化合物或醯胺。 14.一种高密度记录媒体,包括: 一第一基板; 一记录层,形成于该第一基板上,其包括如申请专 利范围第1项所述之双苯乙烯盐化合物; 一反射层,设置于该记录层上;以及 一第二基板,设置于该反射层上。 15.如申请专利范围第14项所述之高密度记录媒体, 其中该第一与第二基板系具有沟槽结构之透明基 板。 16.如申请专利范围第14项所述之高密度记录媒体, 其中该第一与第二基板系由聚酯类、聚碳酸酯类 或聚烯类材质所构成。 17.如申请专利范围第14项所述之高密度记录媒体, 其中该记录层至少包括花青染料(cyanine dye)或偶氮 金属螯合化合物(azo metal chelate compound)。 18.如申请专利范围第17项所述之高密度记录媒体, 其中该双苯乙烯盐化合物与花青染料或偶氮 金属螯合化合物之重量比大体为1:99~99.9:0.1。 19.如申请专利范围第14项所述之高密度记录媒体, 其中该反射层系择自金、银、铝、铜、铬及其合 金所组成之族群。 20.如申请专利范围第14项所述之高密度记录媒体, 其中该高密度记录媒体之反射率(reflectance)系大于 45%,信号抖动(jitter)大体介于8~10,以及信号调变値( modulation)大体介于0.6~0.9。 21.如申请专利范围第14项所述之高密度记录媒体, 其中该高密度记录媒体系包括高密度可录式光碟 片。 图式简单说明: 第1图系为本发明高密度可录式光碟片结构的剖面 示意图。 |
