| 发明名称 | 减低启动电压随栅极长度变异而改变的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种减低启动电压随栅极长度变异而改变的方法，其主要利用角度掺杂以及邻近晶体管元件的遮蔽效应而自动补偿晶体管元件因栅极长度的差异所造成其启动电压的变动，包括下列步骤：提供一基底，其上有多个金氧半晶体管元件，且上述金氧半晶体管元件乃具有不同的栅极长度；以多个不同角度对上述金氧半晶体管元件进行口袋掺杂，并量测上述金氧半晶体管元件的启动电压，以建立启动电压与栅极长度在不同掺杂角度下的关联性，并由上述关联性推算一启动电压随栅极长度变异最小的掺杂角度，以及利用上述所得的掺杂角度进行口袋掺杂。 | ||
| 申请公布号 | CN1917153A | 申请公布日期 | 2007.02.21 |
| 申请号 | CN200510092060.1 | 申请日期 | 2005.08.16 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 纪儒兴 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/22(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种减低启动电压随栅极长度变异而改变的方法，包括下列步骤：提供一基底，其上有多个金氧半晶体管元件，该些金氧半晶体管元件具有不同的栅极长度；以多个不同角度对该些金氧半晶体管元件进行口袋掺杂；量测该些金氧半晶体管元件的启动电压，以建立启动电压与栅极长度在不同掺杂角度下的关联性；由上述关联性推算一启动电压随栅极长度变异最小的掺杂角度；以及以所得的掺杂角度进行口袋掺杂。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||