| 主权项 |
1.一种下式(1)的双环光阻剂单体, 其中 B选自包括下式的部分: R为氢,-COOR'或下式的部分: R'为氢,或经取代或未经取代之(C1-C4)直链或支链烷 基; 各V和W独立为经取代或未经取代之(C1-C2)直链或支 链烷基; 各R1-R13独立为氢; n为1;和 各d和m独立为1。 2.根据申请专利范围第1项之双环光阻剂单体,其系 选自:5-降冰片烯-2-羧酸2-(吗福-4-基)乙酯;5-降冰 片烯-2,3-二羧酸2-(吗福-4-基)乙酯;5-降冰片烯-2,3 -二羧酸2-(吗福-4-基)乙酯,3-三级-丁酯;5-降冰片 烯-2,3-二羧酸2,3-二[2-(六氢啶-1-基)乙基]酯;5-降 冰片烯-2-羧酸2-(六氢啶-1-基)乙酯;5-降冰片烯-2- 羧酸2-(咯啶-1-基)乙酯;5-降冰片烯-2,3-二羧酸2-( 六氢啶-1-基)乙基]酯;5-降冰片烯-2,3-二羧酸2-( 咯啶-1-基)乙基]酯;5-降冰片烯-2,3-二羧酸2-(六氢 啶-1-基)乙酯,3-三级-丁酯;5-降冰片烯-2,3-二羧酸2-( 咯啶-1-基)乙酯,3-三级-丁酯;5-降冰片烯-2,3-二羧 酸2,3-二[2-(六氢啶-1-基)乙基]酯及5-降冰片烯-2,3 -二羧酸2,3-二[2-(咯啶-1-基)乙基]酯。 3.一种制备根据申请专利范围第1项之该双环光阻 剂单体之方法,其中R为氢,该方法包含: (a)反应下式的二烯化合物: 与下式的丙烯酸酯化合物: 以产生下式的二环羧酸化合物: 其中 R为氢;和 n为1; (b)反应该二环羧酸化合物与亚硫醯氯;和 (c)反应步骤(b)所产生之化合物与下式的羟基化合 物: 其中,V为经取代或未经取代之(C1-C2)直链或支链烷 基; B为下式的部分: 和其中 各R1-R13独立地为氢; m为1。 4.根据申请专利范围第3项之方法,其中该步骤(a)包 括: (i)在有机溶剂于-35℃到-25℃之温度范围混合该二 烯化合物及该丙烯酸酯化合物;和 (ii)增加反应温度到室温。 5.一种制备申请专利范围第1项之该双环光阻制单 体之方法,其中R为下 式的部分:-COOR'或 该方法包括该等步骤: (a)反应下式的二烯化合物: 与顺-丁烯二酸酐以产生5-降冰片烯-2,3-二羧酸酐, 其中n为1; (b)(i)当R为COOR'时,在酸催化剂存在下接触该5-降冰 片烯-2,3-二羧酸酐与R'OH以产生5-降冰片烯-2,3-二羧 酸酯化合物;或(ii)当R为 时,水合该5-降冰片烯-2,3-二羧酸酐以产生5-降冰片 烯-2,3-二羧酸; 其中 R'为氢,或经取代或未经取代之(C1-C4)直链或支链烷 基; W为经取代或未经取代之(C1-C2)直链或支链烷基; B选自包括下式之部分: 及其中 各R1-R13独立地为氢;和 d为1;和 (c)反应该5-降冰片烯-2,3-二羧酸酯或5-降冰片烯-2,3 -二羧酸化合物与下式的羟基化合物: 其中,V为经取代或未经取代之(C1-C2)直链或支链烷 基,环烷基,烷氧烷基或环烷氧烷基;及 m为1。 6.根据申请专利范围第5项之方法,其中该步骤(a)包 括: (i)在有机溶剂中于-35℃到-25℃之温度范围混合该 二烯化合物及该丙烯酸酯化合物;和 (ii)增加反应温度到室温。 7.一种光阻剂共聚物,其衍生自一种包括下式(1)化 合物的单体: 其中 B选自包括下式之部分: R为氢,-COOR'或下式的部分: R'为氢,或经取代或未经取代之(C1-C4)直链或支链烷 基; 各V和W独立为经取代或未经取代之(C1-C2)直链或支 链烷基; 各R1-R13独立地为氢; n为1;和 各d和m独立为1。 8.根据申请专利范围第7项之光阻剂共聚物,进一步 包括一种选自包括下式的化合物之第二单体: ,和其混合物; 其中 R14为经取代或未经取代之(C1-C10)直链或支链醇; R15为酸不稳定的保护基; R16为氢或-COOH;和 a,b,和c独立为从1到3之整数。 9.根据申请专利范围第8项之光阻剂共聚物,其中酸 不稳定的保护基为选自包括三级-丁基,四氢喃-2 -基,2-甲基四氢喃-2-基,四氢喃-2-基,2-甲基四 氢喃-2-基,1-甲氧基丙基,1-甲氧基-1-甲基乙基,1- 乙氧基丙基,1-乙氧基-1-甲基乙基,1-甲氧基乙基,1- 乙氧基乙基,三级-丁氧基乙基,1-异丁氧基乙基和2- 乙醯基薄荷-1-烯-1-基。 10.根据申请专利范围第7项之光阻剂共聚物,进一 步包括顺-丁烯二酸酐作为第三单体。 11.根据申请专利范围第7项之光阻剂共聚物,其中 该共聚物的分子量为3,000到100,000。 12.根据申请专利范围第7项之光阻剂共聚物,其系 选自包括: 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2-羧酸/5-降冰片烯-2-羧酸2- (吗福-4-基)乙酯/顺-丁烯二酸酐); 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2-羧酸/5-降冰片烯-2,3-二羧 酸2-(吗福-4-基)乙酯/顺-丁烯二酸酐); 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2-羧酸/5-降冰片烯-2,3-二羧 酸2-[2-(吗福-4-基)乙酯,3-三级-丁酯/顺-丁烯二酸 酐); 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2-羧酸/5-降冰片烯-2,3-二羧 酸2,3-二[2-(吗福-4-基)乙基]酯/顺-丁烯二酸酐); 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2,3-二羧酸/5-降冰片烯-2-羧 酸(3-吗福-4-基-2-羟基)丙酯/顺-丁烯二酸酐); 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2-羧酸/5-降冰片烯-2,3-二羧 酸2-[(3-吗福-4-基-2-羟基)丙基]酯/顺-丁烯二酸酐 ); 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2-羧酸/5-降冰片烯-2,3-二羧 酸2-(3-吗福-4-基-2-羟基)丙基]酯,3-三级-丁酯/顺- 丁烯二酸酐); 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2-羧酸/5-降冰片烯-2,3-二羧 酸2,3-二[(3-吗福-4-基-2-羟基)丙基]酯/顺-丁烯二 酸酐); 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2-羧酸/5-降冰片烯-2-羧酸2- (六氢啶-1-基)酯/顺-丁烯二酸酐); 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2-羧酸/5-降冰片烯-2-羧酸2- (咯啶-1-基)乙酯/顺-丁烯二酸酐); 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2-羧酸/5-降冰片烯-2-羧酸2- [2-(六氢啶-1-基)乙酯/顺-丁烯二酸酐); 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2-羧酸/5-降冰片烯-2,3-二羧 酸2-[2-(咯啶-1-基)乙酯/顺-丁烯二酸酐); 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2-羧酸/5-降冰片烯-2,3-羧酸 2-[2-(六氢啶-1-基)乙酯,3-三级-丁酯/顺-丁烯二酸 酐); 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2-羧酸/5-降冰片烯-2,3-羧酸 2-[2-(咯啶-1-基)乙酯,3-三级-丁酯/顺-丁烯二酸酐 ); 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2-羧酸/5-降冰片烯-2,3-羧酸 2,3-二[2-(六氢啶-1-基)乙酯/顺-丁烯二酸酐); 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2-羧酸/5-降冰片烯-2,3-二羧 酸2,3-二[2-(咯啶-1-基)乙基]酯/顺-丁烯二酸酐); 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2-羧酸/5-降冰片烯-2,3-二羧 酸2,3-二[2-(六氢啶-1-基)乙基]酯/顺-丁烯二酸酐) ; 聚(5-降冰片烯-2-羧酸三级-丁酯/5-降冰片烯-2-羧酸 2-羟基乙酯/5-降冰片烯-2-羧酸/5-降冰片烯-2,3-二羧 酸2,3-二[2-(咯啶-1-基)乙基]酯/顺-丁烯二酸酐); 13.一种制备根据申请专利范围第7项之光阻剂共聚 物之方法,包括等步骤: (a)在有机溶剂中掺合 (i)根据申请专利范围第1项的化合物: (ii)选自包括下式的化合物的第二单体: ,和其混合物; (iii)可选择地顺-丁烯二酸酐,和 (iv)聚合引发剂; ;和 (b)该在惰性大气下聚合掺和剂; 其中 R14为经取代或未经取代之(C1-C10)直链或支链醇; R15为酸不稳定的保护基; R16为氢或-COOH; a,b和c独立为从1到3之整数。 14.根据申请专利范围第13项之方法,其中该有机溶 剂选自包括环己酮,四氢喃,二甲基甲醯胺,二甲 亚,二恶烷,甲基乙基酮,苯,甲苯和二甲苯。 15.根据申请专利范围第13项之方法,其中该聚合作 用引发剂选自包括过氧化苯甲醯,2,2'-偶氮双异丁 氰(AIBN),过氧化乙醯基,过氧化月桂基,三级-丁基过 乙酸盐,氢过氧化三级-丁基和过氧化二-三级-丁基 。 16.一种光阻剂组成物,包括一种申请专利范围第7 项的光阻剂共聚物,一种有机溶剂,含量为从200到 1000重量%该光阻剂共聚物,和一种光酸产生剂,含量 为从0.05到10重量%该光阻剂共聚物。 17.根据申请专利范围第16项之光阻剂组成物,其中 该光酸产生剂为硫化物或类。 18.根据申请专利范围第16项之光阻剂组成物,其中 该光酸产生剂为选自包括二苯基碘六氟磷酸盐,二 苯基碘六氟砷酸盐,二苯基碘六氟锑酸盐,二苯基 对-甲氧基苯基三氟甲烷磺酸盐,二苯基对-二甲苯 基三氟甲烷磺酸盐,三苯基六氟磷酸盐,三苯基 六氟砷酸盐,三苯基六氟锑酸盐,三苯基三 氟甲烷磺酸盐及二丁基基三氟甲烷磺酸盐。 19.根据申请专利范围第16项之光阻剂组成物,其中 该有机溶剂系选自包括3-甲氧基丙酸甲酯,3-乙氧 基丙酸乙酯,丙二醇单甲醚乙酸酯,环己酮,2-环庚 酮和(2-甲氧基)乙酸乙酯。 20.一种形成光阻剂图案之方法,该方法包括步骤: (a)将根据申请专利范围第16项之光阻剂组成物涂 布至半导体元件之基材上以形成光阻剂薄膜; (b)使用一光源将光阻剂薄膜曝光;和 (c)显影该光阻剂薄膜。 21.根据申请专利范围第20项之形成光阻剂图案之 方法,其进一步包括在步骤(b)之前,在步骤(b)之后 或其组合加热该光阻剂薄膜。 22.根据申请专利范围第21项之形成光阻剂图案之 方法,其中该光阻剂薄膜系加热至从70℃到200℃范 围之温度。 23.根据申请专利范围第20项之形成光阻剂图案之 方法,其中光源为ArF,KrF,EUV,VUV E-束,X射线,或离子束 。 24.根据申请专利范围第20项之形成光阻剂图案之 方法,其中该光阻剂薄膜系以曝光能量在从1mJ/cm2 至100mJ/cm2范围辐射。 25.根据申请专利范围第20项之形成光阻剂图案之 方法,其系用于制造半导体元件。 |
