| 发明名称 | 氮化物基发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种氮化物基发光器件及其制造方法，该发光器件包括：n型覆层；p型覆层；介于n型覆层和p型覆层之间的有源层；以及与p型覆层或n型覆层接触并且包括第一膜的欧姆接触层，其中第一膜包括具有一维纳米结构的透明导电氧化锌，其中一维纳米结构为纳米柱、纳米棒和纳米线中的至少一种。 | ||
| 申请公布号 | CN1917245A | 申请公布日期 | 2007.02.21 |
| 申请号 | CN200610159250.5 | 申请日期 | 2006.08.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 宋俊午 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种发光器件，包括：n型覆层；p型覆层；介于n型覆层和p型覆层之间的有源层；以及与p型覆层或n型覆层接触并且包括第一膜的欧姆接触层，其中第一膜包括具有一维纳米结构的透明导电氧化锌，其中一维纳米结构为纳米柱、纳米棒和纳米线中的至少一种。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||