发明名称 |
基底曝光方法和用于该方法的装置 |
摘要 |
提供了半导体器件基底的曝光方法和曝光装置。使用具有单元曝光电路图案和位置识别图案的透光罩对在其上形成感光膜的带状基底材料进行曝光。在传递经过曝光的基底材料之后,检测在基底材料上曝光的位置识别标记。此后,参照曝光的位置识别标记对准后续曝光区的位置。 |
申请公布号 |
CN1301443C |
申请公布日期 |
2007.02.21 |
申请号 |
CN03120221.7 |
申请日期 |
2003.03.07 |
申请人 |
三星TECHWIN株式会社 |
发明人 |
尹鉉洙;千祥源 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01);G03F9/00(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
李德山 |
主权项 |
1.一种半导体器件的基底材料曝光方法,该曝光方法包括:准备带状基底材料,其中在带状基底材料上形成感光膜;准备具有单元曝光图案和位置识别图案的至少一个透光罩;使用透光罩对基底材料进行曝光;传递曝光的基底材料;和检测基底材料上被透光罩的位置识别图案曝光的位置识别图案,并且参照基底材料上的位置识别图案对准后续位置区的位置。 |
地址 |
韩国庆尚南道 |