| 发明名称 | 控制深沟道顶部尺寸的方法 | ||
| 摘要 | 一种控制深沟道的顶部尺寸的方法。是提供一基底，其上具有一回蚀而形成凹处(recess)的多晶硅结构；再于此结构上添加一非晶硅(α-si)层制程，此添加的非晶硅层将于后续的氧化(RC1 oxidation)制程中转变为氧化物(SiO<SUB>2</SUB>)。利用本发明所述的方法，可使得深沟道的顶部尺寸不致扩大，并进一步防止且改善位元线(bit lines)方向的次电压漏损(SubVt leakage)。 | ||
| 申请公布号 | CN1301552C | 申请公布日期 | 2007.02.21 |
| 申请号 | CN03146457.2 | 申请日期 | 2003.07.15 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 王建中;许平 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01);H01L21/70(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王占梅 |
| 主权项 | 1、一种控制深沟道顶部尺寸的方法，其特征是包括下列步骤：提供一包括一沟道的基板；形成一第一导电层填入该沟道，且其表面低于该基板表面；形成一非晶硅层覆盖该沟道侧壁与该第一导电层，其中该沟道侧壁顶部非晶硅层的厚度大于沟道侧壁底部非晶硅层的厚度；氧化该非晶硅层以形成一氧化硅层；形成一介电层于该氧化硅层上，且对该介电层与该氧化硅层进行非等向性干蚀刻以形成一领型介电层于该沟道侧壁；形成第二导电层填入于该沟道，且其表面低于该沟道；及除去部分领型介电层使其表面低于第二导电层并露出上述沟道侧壁。 | ||
| 地址 | 台湾省桃园县 | ||