| 发明名称 | 电子元件铜基片、电子元件和电子元件铜基片制备方法 | ||
| 摘要 | 电子元件用铜基片包括含有烃基和羟基至少之一的氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜被设置在铜基片的表面上。另外，含硅反应气体通过产生等离子体而分解。使所得分解产物与所述铜基片接触以在所述铜基片表面上形成氧化硅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1916234A | 申请公布日期 | 2007.02.21 |
| 申请号 | CN200610115612.0 | 申请日期 | 2006.08.16 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所 | 发明人 | 林和志;钉宫敏洋 |
| 分类号 | C23C16/42(2006.01);C23C16/513(2006.01) | 主分类号 | C23C16/42(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 郭广迅;林森 |
| 主权项 | 1、电子元件用铜基片，包括：含有烃基和羟基至少之一的氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜设置在铜基片的表面上。 | ||
| 地址 | 日本兵库县神户市 | ||