| 发明名称 | 从氮化物倒装芯片激光去除蓝宝石 | ||
| 摘要 | 在一种用于制备倒装芯片发光二极管器件的方法中，外延层沉积在蓝宝石生长基片上以产生外延片。将多个发光二极管器件制备在该外延片上。切割该外延片以产生器件芯片。该器件芯片以倒装芯片方式连接于底座。该倒装芯片连接包括通过将该器件芯片的至少一个电极连接到该底座的至少一个粘结垫上而将器件芯片固定到底座。在倒装芯片连接之后，通过施加激光除去该器件芯片的生长基片。 | ||
| 申请公布号 | CN1918691A | 申请公布日期 | 2007.02.21 |
| 申请号 | CN200480041729.8 | 申请日期 | 2004.12.21 |
| 申请人 | 吉尔科有限公司 | 发明人 | 布里翁·S·谢尔顿;塞巴斯蒂安·利博;伊万·埃利亚舍维奇 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲 |
| 主权项 | 1.一种用于制造倒装芯片发光二极管器件的方法，所述方法包括：(a)将外延层沉积在生长基片上以产生外延片；(b)在所述外延片上制备多个发光二极管器件；(c)切割所述外延片以便由所述外延片产生至少一个分开的器件芯片，所述器件芯片包括多个所述发光二极管器件中的至少一个以及所述生长基片的一部分；(d)将所述器件芯片倒装芯片连接于底座，所述倒装芯片连接包括通过将所述器件芯片的电极连接到所述底座的粘结垫上而将所述器件芯片固定到所述底座；以及(e)在步骤(d)之后，从所述器件芯片除去至少部分所述生长基片。 | ||
| 地址 | 美国俄亥俄州 | ||