| 发明名称 | 形成低温多晶硅薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种形成低温多晶硅薄膜晶体管的方法，该方法包括：形成一多晶硅层于该衬底上；形成一栅极氧化层于该多晶硅层上；图案化该栅极氧化层与该多晶硅层，其利用光刻与蚀刻工艺完成；形成一栅极于该栅极氧化层之上；以及注入掺杂剂，其以该栅极为掩模，以形成源极与漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN1301539C | 申请公布日期 | 2007.02.21 |
| 申请号 | CN03143668.4 | 申请日期 | 2003.07.28 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 陈坤宏 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种形成低温多晶硅薄膜晶体管的方法，该方法至少包括：提供一衬底；形成一多晶硅层于该衬底上；形成一栅极氧化层于该多晶硅层上；图案化该栅极氧化层与该多晶硅层，其利用光刻与蚀刻工艺完成；形成一栅极于该栅极氧化层之上；以及注入掺杂剂，其以该栅极为掩模，以形成源极与漏极。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||