浅沟槽隔离结构的制造方法

摘要

一种浅沟槽隔离结构的制造方法，首先，提供一基底，此基底上已形成有垫层、多晶硅层与掩模层。接着，将多晶硅层与掩模层图案化以形成开口，而暴露出垫层。然后，进行热氧化工艺，以于开口所暴露出的多晶硅层的侧壁上形成氧化层。接着，去除开口下方的部分基底，以于基底中形成沟槽。然后，形成绝缘层以填满沟槽。接着，移除掩模层与多晶硅层。之后，再移除垫层。

主权项

1、一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供一基底，该基底上已形成有一垫层、一多晶硅层与一掩模层；图案化该多晶硅层与该掩模层以形成一开口，而暴露出该垫层；进行一热氧化工艺，以于该开口所暴露出的该多晶硅层的侧壁上形成一氧化层；去除该开口下方的部分该基底，而形成一沟槽；形成一绝缘层以填满该沟槽；移除该掩模层与该多晶硅层；以及移除该垫层。