发明名称 |
一种裂解制备二甲基二氯硅烷的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种制备二甲基二氯硅烷的方法,以甲基氯硅烷单体合成中的高沸点残余物全组份为原料,以浓硫酸和铝粉为复合催化剂,经裂解反应制备二甲基二氯硅烷。本发明可在相对较低的压力下实现高沸物的裂解反应,解决有机硅单体生产装置中高沸物大量过剩问题,使高沸物尽可能多地转变成单硅烷,尤其是二甲基二氯硅烷,且反应较易控制,工艺简捷,条件温和。 |
申请公布号 |
CN1915999A |
申请公布日期 |
2007.02.21 |
申请号 |
CN200510090477.4 |
申请日期 |
2005.08.17 |
申请人 |
中国石油天然气股份有限公司 |
发明人 |
王刚;王明成;张德胜;翟荣霞;安晓葵;王莉鸿;周遵石 |
分类号 |
C07F7/12(2006.01) |
主分类号 |
C07F7/12(2006.01) |
代理机构 |
北京市中实友知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
彭建林 |
主权项 |
1.一种制备二甲基二氯硅烷的方法,以甲基氯硅烷单体合成中的高沸点残余物全组份为原料,以浓硫酸和铝粉为复合催化剂,经裂解反应制备二甲基二氯硅烷,原料具体是指甲基氯硅烷单体合成过程中产生的沸程为80~215℃,以硅-硅键、硅-碳-硅键为主的高沸点多硅烷混合物。 |
地址 |
100011北京市东城区安德路16号洲际大厦 |