非易失性存储器

摘要

通过在使用具有两个状态的、只能在一个方向上转换的存储元件的OTP型非易失性存储器中使用至少两个存储元件形成用于存储1位数据的存储单元。在使用具有H状态(第一状态)和L状态(第二状态)(下文简称为H和L)且只能在从L至H的一个方向上电转换的存储元件的OTP型非易失性存储器中，通过使用两个或两个以上存储元件形成用于存储1位数据的存储单元。

主权项

1.一种包括一对存储元件作为一个单位的非易失性存储器，该存储元件通过至少施加电压或电流只能从第一状态转换成电特性不同的第二状态，其中，形成通过使用一个所述存储元件处于所述第一状态而另一个所述存储元件处于所述第二状态的两个状态来存储1位数据的存储单元。