发明名称 | 相变化光盘 | ||
摘要 | 本发明涉及一种相变化光盘,包含一第一基板、一第一介电积层、一第一记录层、一第一反射层,以及一第二基板,第一介电积层设于第一基板上,第一介电积层的光学厚度介于86nm至460nm之间;第一记录层设于第一介电积层上,第一反射层设于第一记录层之上;第二基板设于第一反射层上。 | ||
申请公布号 | CN1917058A | 申请公布日期 | 2007.02.21 |
申请号 | CN200510092010.3 | 申请日期 | 2005.08.16 |
申请人 | 精碟科技股份有限公司 | 发明人 | 谢国卿;王佩珊 |
分类号 | G11B7/24(2006.01);G11B7/00(2006.01) | 主分类号 | G11B7/24(2006.01) |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陈肖梅;谢丽娜 |
主权项 | 1.一种相变化光盘,其特征在于,包含:一第一基板;一第一介电积层,其设于第一基板上,该第一介电积层的光学厚度介于86nm至460nm之间;一第一记录层,其设于该第一介电积层上;一第一反射层,其设于该第一记录层之上;以及一第二基板,其设于该第一反射层上。 | ||
地址 | 台湾省台北县五股乡五权七路13号 |