发明名称 相变化光盘
摘要 本发明涉及一种相变化光盘,包含一第一基板、一第一介电积层、一第一记录层、一第一反射层,以及一第二基板,第一介电积层设于第一基板上,第一介电积层的光学厚度介于86nm至460nm之间;第一记录层设于第一介电积层上,第一反射层设于第一记录层之上;第二基板设于第一反射层上。
申请公布号 CN1917058A 申请公布日期 2007.02.21
申请号 CN200510092010.3 申请日期 2005.08.16
申请人 精碟科技股份有限公司 发明人 谢国卿;王佩珊
分类号 G11B7/24(2006.01);G11B7/00(2006.01) 主分类号 G11B7/24(2006.01)
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 陈肖梅;谢丽娜
主权项 1.一种相变化光盘,其特征在于,包含:一第一基板;一第一介电积层,其设于第一基板上,该第一介电积层的光学厚度介于86nm至460nm之间;一第一记录层,其设于该第一介电积层上;一第一反射层,其设于该第一记录层之上;以及一第二基板,其设于该第一反射层上。
地址 台湾省台北县五股乡五权七路13号