发明名称 | 纳米吸气剂制备方法 | ||
摘要 | 纳米吸气剂制备方法,涉及一种吸气剂,尤其是涉及一种纳米吸气剂制备方法。提供一种表面积与体积比率高,吸附作用强,可沉积多种合金薄膜,制备工艺成熟的纳米吸气剂制备方法。其步骤为:采用化学气相沉积法在硅基上生长碳纳米管:先将溅射有催化剂的基底硅片样品放入石英管中抽真空,通保护气Ar+H<SUB>2</SUB>,炉内加热,关闭Ar+H<SUB>2</SUB>,通CH<SUB>4</SUB>,反应结束关闭CH<SUB>4</SUB>,在Ar+H<SUB>2</SUB>的保护下冷却取出样品;在碳纳米管上均匀涂布Ti金属以增强吸气剂的化学吸附作用。 | ||
申请公布号 | CN1915798A | 申请公布日期 | 2007.02.21 |
申请号 | CN200610152030.X | 申请日期 | 2006.09.11 |
申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 孙道恒;陈松平 |
分类号 | B81C3/00(2006.01) | 主分类号 | B81C3/00(2006.01) |
代理机构 | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人 | 马应森 |
主权项 | 1.纳米吸气剂制备方法,其特征在于其步骤为:1)采用化学气相沉积法在硅基上生长碳纳米管:先将溅射有催化剂的基底硅片样品放入石英管中,并抽真空至100~250Torr,通25~200sccm的保护气Ar+H2至0.8~1.2atm,将炉内加热到850~1100℃,维持这个炉温,关闭Ar+H2,接着持续通25~200sccm的CH45~30min,反应结束,关闭CH4,在Ar+H2的保护下冷却至50~300℃,取出样品;2)在碳纳米管上均匀涂布厚度为10~50nmTi膜金属。 | ||
地址 | 361005福建省厦门市思明南路422号 |