| 发明名称 | 集成电路存储单元及制备方法 | ||
| 摘要 | 一种集成电路存储单元，包括复合的第一电容器电极和第一晶体管源极/漏极(28)、第二电容器电极(20)、第一和第二电极之间的电容器电介质(24)、以及第一源极/漏极之上并包括该第一源极/漏极的垂直晶体管(30)。第二源极/漏极可以被包括在连接数位线(38)到垂直晶体管的晶体管沟道的数位线内部导体(40)中。沟道可以包括复合的第一电极和第一源极/漏极的半导电的向上延伸。存储单元可以包括在多个这种存储单元的阵列中，其中第二电极是多个存储单元的公共电极。存储单元可以提供第一电极和数位线之间的直线导电路径，该路径经过垂直晶体管延伸。 | ||
| 申请公布号 | CN1918705A | 申请公布日期 | 2007.02.21 |
| 申请号 | CN200480041851.5 | 申请日期 | 2004.12.15 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | A·帕特森 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01);H01L27/108(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1.一种集成电路存储单元，包含：复合的第一电容器电极和第一晶体管源极/漏极；第二电容器电极；第一和第二电极之间的电容器电介质；以及第一源极/漏极之上的并包括该第一源极/漏极的垂直晶体管。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||