发明名称 |
具有多个RAM芯片的存储装置 |
摘要 |
本发明的主题是一种存储装置,该存储装置具有偶数k=4个物理上相间隔的RAM芯片,在每个芯片上可以经由m位数据总线同时写或读m个数据项;还具有寄存器,用于缓冲存储和在n位并行端口和数据总线之间传送作为包的n个相应的并行数据位;并且具有选择装置,该选择装置响应于选择位,以便选择为n位包的分离的m位组(d)中的每一个选择多个芯片内的相应的分离的单元组。根据本发明,k个芯片被分为q=2个分离的芯片组,每个芯片组包括在和寄存器的距离方面彼此差异尽可能小的k/q个芯片。数目m被选择成等于q*n/k,并且该选择装置被设计用于为相同n位包的每个m位组选择相同芯片组的相应的分离的芯片和这个芯片中的单元组。 |
申请公布号 |
CN1918660A |
申请公布日期 |
2007.02.21 |
申请号 |
CN200480028373.4 |
申请日期 |
2004.09.17 |
申请人 |
英飞凌科技股份公司 |
发明人 |
M·豪斯曼;S·卡尔姆斯;H·坎多夫;M·库茨门卡 |
分类号 |
G11C7/22(2006.01);G11C8/12(2006.01) |
主分类号 |
G11C7/22(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
卢江;魏军 |
主权项 |
1.一种存储装置,包括:偶数k≥4个物理上相间隔的RAM芯片(D),每个RAM芯片都具有z个存储单元,这z个存储单元被组织为分离的包括m个相应存储单元的单元组,这m个相应存储单元分别能够通过单元组地址被同时选择,以便经由芯片上的m位数据总线(DB)分别写或读m个数据项;寄存器(DR),用于缓冲存储和在n位并行端口(DP)和数据总线(DB)之间传送作为包的n个相应的并行数据位,其中n等于m的整倍数,选择装置(SR,DS,AB,A),该选择装置响应于选择位,以便为n位包的分离的m位组(d)中的每一个选择多个芯片(D)内的相应的分离的单元组,其特征在于,k个芯片(D)被分为q>2个分离的芯片组,每个芯片组包括在和寄存器(DR)的距离方面彼此差异尽可能小的k/q个芯片,并且m=q*n/k,并且该选择装置(SR,DS,AB,A)被设计用于为相同的n位包的每个m位组选择相同芯片组的相应的分离的芯片和这个芯片中的单元组。 |
地址 |
德国慕尼黑 |