存储器制造方法及装置

摘要

本发明是关于一种存储器制造方法及装置，尤其是一种具有低漏电及低阻抗插塞的存储器制造方法及装置，是在存储器内部的接触节点及位线接触区处先沉积形成一掺杂的多晶硅层，从而形成低漏电界面，再在该多晶硅层上方沉积形成低接触阻抗的钨插塞，借此双层结构形成一兼具低漏电及低接触阻抗的存储器插塞。

主权项

1.一种存储器制造方法，包括：一形成多晶硅层的步骤，在一形成有各式晶体管的存储器的各区域上全面沉积一多晶硅层，从而在DRAM存储单元的各接触区内形成一凹状多晶硅层；一沉积形成钨金属层的步骤，使钨金属填满各接触区内的凹状多晶硅层；一化学机械研磨步骤，将上述多晶硅层与钨金属层的高度研磨至各接触区顶部为止，使各接触区形成多晶硅插塞与钨插塞层叠的双层插塞形式。