发明名称 |
processo para induzir, aumentar e controlar a criação de centros de defeitos associados à fotosensitividade e geração do segundo harmÈnico em preformas de sio2:geo2 fabricadas pela técnica de deposição axial em fase vapor (vad) |
摘要 |
"PROCESSO PARA INDUZIR, AUMENTAR E CONTROLAR A CRIAçãO DE CENTROS DE DEFEITOS ASSOCIADOS à FOTOSENSITIVIDADE E GERAçãO DO SEGUNDO HARMÈNICO EM PREFORM-AS DE SiO~ 2~:GeO~ 2~ FABRICADAS PELA TéCNICA DE DEPOSIçãO AXIAL EM FASE VAPOR (VAD)". A presente invenção esta relacionada com o desenvolvimento de novo processo de preparação de vidros de SiO~ 2~:GeO~ 2~ (sílica - germânia) pela técnica de deposição axial em fase vapor (VAD), para intensificar a resposta não-linear do material. O processo é baseado no controle dos centros de defeitos que são associados às propriedades eletro - ópticas, tais como a fotosensitividade e a geraçao do segundo harmónico, através dos parâmetros do processo de preparação de preformas vítreas de SiO~ 2~:GeO~ 2~. Desenvolveram-se duas fases do processo para induzir, controlar e aumentar a formação destes defeitos e com isto obter um material óptico baseado no vidro de SiO~ 2~ :GeO~ 2~ no qual seu comportamento não linear pode ser controlado a partir do conteúdo dos centros de defeitos introduzidos no vidro através dos parâmetros usados durante a preparação do material, reduzindo-se ao mínimo o número de passos no processo de síntese do vidro de SiO~ 2~ :GeO~ 2~ com alto desempenho na geração de centros de defeitos responsáveis pelas propriedades ópticas não-lineares de segunda ordem.
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申请公布号 |
BRPI0404965(A) |
申请公布日期 |
2007.02.21 |
申请号 |
BR2004PI04965 |
申请日期 |
2004.11.16 |
申请人 |
FUNDACAO DE AMPARO A PESQUISA DO ESTADO DE SAO PAULO - FAPESP;UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS - UNICAMP |
发明人 |
RAUL FERNANDO CUEVAS ROJAS;CARLOS KENICHI ZUZUKI |
分类号 |
C03B37/018;C23C16/40;C23C16/453;C23C16/52;(IPC1-7):C03B37/018 |
主分类号 |
C03B37/018 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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