用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法

摘要

本发明涉及光电子薄膜材料及器件的制备与应用技术领域。特别是一种用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法。第一步，按一定化学剂量比制备Er－Si－O溶胶；第二步，在经过常规处理的硅衬底上旋转涂覆一层Er－Si－O干凝胶薄膜；第三步，高温烧结达到总厚度的Er－Si－O干凝胶薄膜，原位生成Er－Si－O晶体薄膜；第四步，采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备产生的N等离子体处理硅基Er－Si－O晶体薄膜；第五步，二次退火等离子体处理过的Er－Si－O晶体薄膜，使N元素在薄膜里充分扩散，降低Er³⁺离子周围的晶体场对称性，提高光致发光强度。

主权项

1.一种用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法，其步骤如下：第一步，按一定化学剂量比制备Er-Si-O溶胶；第二步，在经过常规处理的硅衬底上旋转涂覆一层Er-Si-O干凝胶薄膜；第三步，高温烧结达到总厚度的Er-Si-O干凝胶薄膜，原位生成Er-Si-O晶体薄膜；第四步，采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备产生的N等离子体处理硅基Er-Si-O晶体薄膜；第五步，二次退火等离子体处理过的Er-Si-O晶体薄膜，使N元素在薄膜里充分扩散，降低Er3+离子周围的晶体场对称性，提高光致发光强度。