| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 需要提供一种能够降低半导体器件中的功率晶体管的导通电阻的技术，该半导体器件将功率晶体管和控制集成电路集成到单一半导体芯片中。另外需要提供一种能够减小半导体器件的芯片尺寸的技术。一种半导体芯片包括用于形成功率晶体管的功率晶体管形成区域、用于形成逻辑电路的逻辑电路形成区域和用于形成模拟电路的模拟电路形成区域。在功率晶体管形成区域中形成焊盘。该焊盘和引线通过接线柱来连接，该接线柱的横截面大于导线的横截面。另一方面，通过导线29连接键合焊盘。 | ||
| 申请公布号 | CN1917198A | 申请公布日期 | 2007.02.21 |
| 申请号 | CN200610108501.7 | 申请日期 | 2006.08.03 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 小池信也;松下司;佐藤仁久;大川启一;锦泽笃志 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/488(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：(a)半导体芯片；(b)第一区域和第二区域，形成在所述半导体芯片上方；(c)多个第一键合焊盘，形成在所述第一区域上方；(d)多个第二键合焊盘，形成在所述第二区域上方；(e)多个第一引线和多个第二引线；(f)第一导体，电连接所述第一键合焊盘与所述第一引线；以及(g)第二导体，电连接所述第二键合焊盘与所述第二引线，其中所述第一导体的横截面大于所述第二导体的横截面。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||