| 发明名称 | 集成Ⅲ族氮化物功率器件 | ||
| 摘要 | 一种III族氮化物基集成半导体器件，包括至少两个形成于一个共用芯片上的III族氮化物基半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1918712A | 申请公布日期 | 2007.02.21 |
| 申请号 | CN200580004848.0 | 申请日期 | 2005.02.14 |
| 申请人 | 国际整流器公司 | 发明人 | 丹尼尔·M·金泽;罗伯特·比克 |
| 分类号 | H01L31/072(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L31/072(2006.01) |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 颜涛;郑霞 |
| 主权项 | 1、一种集成半导体器件，包括：一个第一III族氮化物基半导体器件；一个第二III族氮化物基半导体器件；其中所述第一III族氮化物基半导体器件和所述第二III族氮化物基半导体器件形成于一个共用的半导体芯片上，从而形成一个集成器件。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||