| 发明名称 | 硅晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的硅晶片的制造方法的特征在于，按顺序包括：利用供给喷嘴向将硅单晶锭切片后得到的单枚薄圆板状的硅晶片的表面供给蚀刻液，通过使上述晶片旋转，将上述供给的蚀刻液扩大到整个晶片表面上进行蚀刻的单片式蚀刻工序(12)；和研磨上述硅晶片的表面的研磨工序(14)，在单片式蚀刻中使用的蚀刻液是酸蚀刻液，上述酸蚀刻液由氢氟酸、硝酸和磷酸构成，是上述氢氟酸、硝酸和磷酸按重量百分比为氢氟酸∶硝酸∶磷酸＝0.5～40％∶5～50％∶5～70％的混合比例含有的水溶液。 | ||
| 申请公布号 | CN1917151A | 申请公布日期 | 2007.02.21 |
| 申请号 | CN200610159243.5 | 申请日期 | 2006.08.15 |
| 申请人 | 株式会社上睦可 | 发明人 | 古屋田荣;桥井友裕;村山克彦;高石和成;加藤健夫 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/304(2006.01);C23F1/24(2006.01) | 主分类号 | H01L21/302(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;吴娟 |
| 主权项 | 1、一种硅晶片的制造方法，其特征在于，按顺序包括：利用供给喷嘴向将硅单晶锭切片而得到的单枚薄圆板状的硅晶片的表面供给蚀刻液，通过使上述晶片旋转，将上述供给的蚀刻液扩展到整个晶片表面而进行蚀刻的单片式蚀刻工序(12)；和研磨上述硅晶片的表面的研磨工序(14)，在单片式蚀刻中使用的蚀刻液是酸蚀刻液，其中上述酸蚀刻液由氢氟酸、硝酸和磷酸构成，其是上述氢氟酸、硝酸和磷酸按重量百分比为氢氟酸∶硝酸∶磷酸＝0.5～40％∶5～50％∶5～70％的混合比例含有的水溶液。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||