| 发明名称 | 交错式相位位移掩膜 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种交错式相位位移掩膜，包括：一透光基板；一遮光层，设置于上述透光基板表面，定义出透光阵列图案，上述透光阵列图案(arraypattern)包括数个0度相位的透光横列(transparent row)与数个180度相位的透光横列交错组成；以及一相位干扰加强图样(phase interferenceenhancement feature；PIEF)，相距既定距离地邻接于最外部的透光横列，并且上述相位干扰加强图样的相位与邻接的最外部的透光横列的相位相反(reverse phase)。 | ||
| 申请公布号 | CN1301441C | 申请公布日期 | 2007.02.21 |
| 申请号 | CN02151339.2 | 申请日期 | 2002.11.15 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 夏启明;徐义裕;童宇诚;廖宏岳;蔡高财;王重博 |
| 分类号 | G03F1/16(2006.01) | 主分类号 | G03F1/16(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈红;潘培坤 |
| 主权项 | 1.一种交错式相位位移掩膜，其特征在于，包括：一透光基板；一遮光层，设置于上述透光基板表面，定义出透光阵列图案，上述透光阵列图案包括数个第一相位的透光横列与数个第二相位的透光横列交错组成，其中该第一相位为0度相位，该第二相位为180度相位；以及一相位干扰加强图样，其为条状透光区或多个块状透光区，相距既定距离地邻接于最外部的透光横列，使上述相位干扰加强图样产生光学干扰效应，并且上述相位干扰加强图样的相位与邻接的最外部的透光横列的相位相反，其中上述相位干扰加强图样的宽度必须小于最小曝光图案的分辨率。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹 | ||