非切换前置和后置干扰补偿脉冲

摘要

在用于操作无源矩阵可寻址铁电体或驻极体存储装置的方法中，该装置包括形式为显示出滞后的铁电或驻极体薄膜可极化存储器材料的存储单元，具体地铁电体或驻极体聚合体薄膜，形成装置中的字线电极的第一组平行电极和形成装置中的位线电极的第二组平行电极，与位线正交地定向字线，以使字线和位线与存储单元直接接触，通过施加大于字线和位线之间的存储器材料的矫顽电压的切换电压，其可被设置为两个极化状态的任何一个，或在这些状态之间切换，为了切换选择寻址单元至确定的极化状态而施加具有至少一个干扰产生操作周期的电压脉冲协议。该电压脉冲协议进一步包括分别在干扰产生操作周期之前和之后的前置干扰和/或后置干扰周期，以便当其被施加以用于写或读操作时在操作周期中向其产生这种电压时，最小化非寻址存储单元上干扰电压的作用。

主权项

1、一种用于操作采用无源矩阵寻址的铁电或驻极体存储装置的方法，其中所述存储装置包括形式为显示出滞后的铁电或驻极体薄膜可极化材料的单元，具体地形式为铁电或驻极体聚合物薄膜的单元，以及第一和第二组相应的平行电极，其中以与被称作位线(BL)的第二组电极基本上正交的关系提供被称作字线(WL)的第一组电极，其中与存储单元的薄膜材料直接或间接接触地提供所述第一和第二组电极，其中通过施加大于对应于字线(WL)和位线(BL)之间的可极化材料的矫顽场(Ec)的矫顽电压(Vc)的切换电压(Vs)寻址单元，可将该装置中的单元设置为极化状态X或Y，或在这些状态之间切换，其中该方法包括具有至少一个用于将选定寻址单元(Ax)切换至极化状态X的干扰产生操作周期的电压脉冲协议，所述干扰产生操作周期涉及位于寻址字线(AWL)和选定位线(BLx)的交叉中或交叉处的选定寻址单元、位于寻址字线和非选定位线(BLy)的交叉中的非选定寻址单元(Ay)、位于非寻址字线(UWL)和选定位线的交叉中的非寻址单元(Dx)、以及位于非寻址字线和非选定位线的交叉中的非寻址单元(Dy)，其中在干扰产生操作周期期间，寻址字线和选定位线之间的电势差等于切换电压，并且寻址字线和非选定位线之间的电势差小于矫顽电压的幅值，并且其中该方法的特征在于：分别在干扰产生操作周期之前和之后引入前置干扰和/或后置干扰周期，其间沿着非寻址字线的单元接收非切换电压和至少一些非零电压；通过保持非寻址字线和寻址字线之间的电势差等于或小于矫顽电压的幅值的两倍，在各个前置和/或后置干扰周期中产生前置和/或后置干扰单元电压脉冲；选择选定位线的电势和非选定位线的电势，使得与非寻址字线的电势差小于矫顽电压的幅值；并将寻址字线电势选择成使寻址单元仅可以接收在已经在寻址单元中设置的极化状态的方向上的具有大于矫顽电压的幅值的电压。