| 摘要 |
本发明系揭示一种形成一半导体结构之方法，包括形成一第一矽层(10)，及接着毗邻该矽层(10)形成一第二矽锗层(12)。接着毗邻该第二层(12)形成一第三薄矽层(14)。接着使用传统互补式金氧半(CMOS)制程而在该第三矽层(14)之上形成一闸极结构。接着在该第二层(12)中形成数个渠沟，且该结构接着曝露至一高热气体化学蚀刻剂，例如加热盐酸。该蚀刻剂移除该矽锗层，藉此形成一个无物上矽(Silicon–On–Nothing)结构。之后，应用数个传统CMOS处理技术以完成作为一金氧半场效电晶体之结构，其包括由氮化矽形成数个间隔壁(28)，该氮化矽(30)亦藉由该矽锗层之移除以填补该第三矽层(14)下方形成之一洞。 |
